Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5312UR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 4.29MA 500MW Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Part Status: Active Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 4.29mA Voltage - Limiting (Max): 2.6V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5312UR-1 | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 4.29MA 500MW Current Regulator Round-End SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5312UR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 4.29MA 500MW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Part Status: Active Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 4.29mA Voltage - Limiting (Max): 2.6V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5312UR-1/TR | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 4.29MA 500MW Current Regulator Round-End SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313-1 | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-7 Grade: Military Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 4.73mA Voltage - Limiting (Max): 2.75V Qualification: MIL-PRF-19500/463 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313-1 | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 4.73MA 500MW Current Regulator THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-7 Grade: Military Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 4.73mA Voltage - Limiting (Max): 2.75V Qualification: MIL-PRF-19500/463 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313-1/TR | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 4.73MA 500MW Current Regulator THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313UR-1 | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 4.73MA 500MW Current Regulator Round-End SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313UR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Grade: Military Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 4.73mA Voltage - Limiting (Max): 2.75V Qualification: MIL-PRF-19500/463 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313UR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Grade: Military Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 4.73mA Voltage - Limiting (Max): 2.75V Qualification: MIL-PRF-19500/463 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5313UR-1/TR | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 4.73MA 500MW Current Regulator Round-End SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314-1 | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 5.17MA 500MW Current Regulator THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314-1 | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-7 Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 5.17mA Voltage - Limiting (Max): 2.9V Qualification: MIL-PRF-19500/463 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-7 Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 5.17mA Voltage - Limiting (Max): 2.9V Qualification: MIL-PRF-19500/463 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314-1/TR | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 5.17MA 500MW Current Regulator THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314UR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW Qualification: MIL-PRF-19500/463 Grade: Military Regulator Current (Max): 5.17mA Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Power - Max: 500mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Bulk Voltage - Limiting (Max): 2.9V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314UR-1 | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 5.17MA 500MW Current Regulator Round-End SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314UR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 500mW Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max): 100V Regulator Current (Max): 5.17mA Voltage - Limiting (Max): 2.9V Qualification: MIL-PRF-19500/463 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5314UR-1/TR | Microchip / Microsemi | Current Regulator Diodes 100V 5.17MA 500MW Current Regulator Round-End SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 118 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 55V 3A UFR,FRR THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 50V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415US | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415US/TR | Microchip Technology | Description: RECTIFIER UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5415US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416 | Semtech | MIL 3A FAST RECTIFIER JAN1N5416 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416 | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 100V 3A 2-Pin Case 303 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416 | Microchip Technology | Diode Switching 100V 3A 2-Pin Case E Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 118 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5416 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 110V 3A UFR,FRR THT | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5416/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 110V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 110V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416US | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 100V 3A 2-Pin MELF-B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416US | MICROSEMI | E_SQ._MELF/Fast Rectifier (100-500ns) 1N5416 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416US | Microchip Technology | Diode Switching 100V 3A 2-Pin E-MELF Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5416US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 110V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417 | Semtech | -D MET 3A FAST 200V POWER DISCR 1N5417 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 220V 3A UFR,FRR THT | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5417 | Semtech Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 4.5A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Military Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 4.5A Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 220V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417/TR | Microsemi | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417US | Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 200V 3A B SQMELF Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417US/TR | Microsemi | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 200V 3A B SQMELF Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5417US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 220V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/411 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 132 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 440V 3A UFR,FRR THT | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5418 | Semtech Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 165pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4.5A Supplier Device Package: Axial Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418 | MICROSEMI | B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5418 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 400 V UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 129 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Qualification: MIL-PRF-19500/411 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 129 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 400 V UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B Qualification: MIL-PRF-19500/411 Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B Current - Average Rectified (Io): 3A Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 400 V UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5418US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B Qualification: MIL-PRF-19500/411 Grade: Military Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 500V 3A B AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419 | MICROSEMI | B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5419 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419 | Semtech Corporation | Description: DIODE STANDARD 500V 4.5A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4.5A Supplier Device Package: Axial Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5419/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 500V 3A B AXIAL Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 550V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B Qualification: MIL-PRF-19500/411 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5419US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 550V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/411 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 660V 3A UFR,FRR THT | на замовлення 99 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5420 | Semtech Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 Grade: Military Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 4.5A Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Qualification: MIL-PRF-19500/411 Grade: Military Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 660V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 660V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B Qualification: MIL-PRF-19500/411 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5B Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, E Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 660V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5420US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518B-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 3.3V 20MA 26 Ohms Voltage Regulator THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 142 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518B-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO204AH Qualification: MIL-PRF-19500/437 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Power - Max: 500 mW Grade: Military Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 136 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518B-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 3.3V 20MA 26 Ohms Voltage Regulator THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 138 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518B-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO204AH Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V Qualification: MIL-PRF-19500/437 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 138 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA Package / Case: DO-213AA Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/437 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Power - Max: 500 mW Grade: Military Supplier Device Package: DO-213AA Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518BUR-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 3.3V 20MA 26 Ohms Round-End Voltage Regulator | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518BUR-1 | MICROSEMI | Low Voltage Avalanche Zener 1N5518 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518BUR-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 3.3V 20MA 26 Ohms Round-End Voltage Regulator TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA Qualification: MIL-PRF-19500/437 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Power - Max: 500 mW Grade: Military Supplier Device Package: DO-213AA Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AA Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518C-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±2% Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/437 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518C-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 3.3V 20MA 26 Ohms Voltage Regulator THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518C-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 3.3V 20MA 26 Ohms Voltage Regulator THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518C-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Qualification: MIL-PRF-19500/437 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Power - Max: 500 mW Grade: Military Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518CUR-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 3.3V 20MA 26 Ohms Round-End Voltage Regulator | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518CUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA Tolerance: ±2% Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V Qualification: MIL-PRF-19500/437 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5518CUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 26 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V Qualification: MIL-PRF-19500/437 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |