Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK302500L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 60V 30A U-DL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: U-DL Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3025U0L | Panasonic | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3025U0LCT | Panasonic | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3025U0LTR | Panasonic | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3028 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK302Y | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK303 | SANYO | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK303-3-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK303-3-TB-E - 2SK303 - N-CHANNEL J-FET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK303-3-TB-E | ON Semiconductor | 2SK303-3-TB-E | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK303-3-TB-E | ON Semiconductor | 2SK303-3-TB-E | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK303-3-TB-E | onsemi | Description: NCH J-FET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK303-V2 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK303000L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 100V 8A U-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: U-G1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK303100L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 100V 15A U-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: U-G1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3034 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3035 | PANPSONIC | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3038 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK303V4-TB | SAYNO | SOT23 | на замовлення 3620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK304 | SANYO | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3042 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3043 | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 450V 5A TO220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220D-A1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3043 | PANASONIC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3044 | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 450V 7A TO220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220D-A1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3044 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3045 | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220D-A1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3045 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3046 | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220D-A1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3046 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3047 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3047 | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220D-A1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3048 | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220D-A1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3048 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3049 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK304C | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK304D | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK304E-SPA | onsemi | Description: NCH J-FET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK304E-SPA | ON Semiconductor | 2SK304E-SPA | на замовлення 39623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK304E-SPA-AC | onsemi | Description: NCH J-FET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK304F | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3050 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3050 | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3050TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3050TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs POWER MOSFET SURF MOUNT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3050TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3051 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3053-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3054 | NEC | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3054-T1 | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 2674 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3054-T1-A | Renesas | Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3054-T1-A | Renesas | Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3054-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3054C(0)-T1-A | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3054C(0)-T1-AT | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3054C-T1-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3054C-T1-AT | Renesas Electronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3054T106 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3054T1B | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3055 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3055(1)-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 100257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3055(1)-AZ | Renesas | Switching N-Channel Power Mos FET Industrial Use | на замовлення 100257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3055-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3055-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3056 | NEC | SOT263 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3056-Z | NEC | 2002 TO-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3056Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3057 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3057-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: 2SK3057 - POWER TRS2 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3057-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3058-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3058-Z-E1-AZ | NEC Corporation | 2SK3058-Z-E1-AZ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3058-Z-E1-AZ | NEC Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3058Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3059 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3060-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3060-Z-E1-AZ | Renesas | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3060Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3061 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3062Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3064 | PANASONIC | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK306400L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA Supplier Device Package: SMini3-G1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK306400L | PANASONIC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3064G0L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-F2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA Supplier Device Package: SMini3-F2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3065 T100 | ROHM | SOT89 | на замовлення 604 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 60V 2A | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V | на замовлення 7274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Rohm | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.5W Case: SC62 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3065T100 | ROHM | 10+ROHS SOT-89 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3065T100 (транзистор) Код товару: 51320
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3065\KE | ROHM | SOT-89 | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3067 Код товару: 22470
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220F Uds,V: 600 V Idd,A: 2 A Rds(on), Ohm: 4,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 380/9 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| 2SK3067(Q) | TOSHIBA | 05+06+ | на замовлення 146800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3068 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3068 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3068 (Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3068 (TE24L,Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

