Продукція > RS1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RS1MWF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - RS1MWF-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-7Diodes ZetexDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 240ns; SOD123F; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 240ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.16 грн
15+28.77 грн
100+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
9000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - RS1MWF-7 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-7DiodesSOD-123F, Fast Recovery, If=1A, Urrm=1000V, Uf=1.3V, -55...+150 Діоди та діодні збірки
на замовлення 193 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
15+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-7Diodes IncorporatedRectifiers 1.0A Fast Recovery 30A 1000V 700Vr
на замовлення 32923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 1000V 1A SOD-123FL
на замовлення 8905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 1000V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWF-HFComchip TechnologySMD Fast Recovery Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWG_R1_00001PanjitRectifiers PJ/RS1M/TR/7"/HF/1.8K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MWG_R2_00001PanjitRectifiers PJ/RS1M/TR/13"/HF/7.5K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M_HFDiodes ZetexRS1M_HF
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.37 грн
15000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M_Qonsemi / FairchildRectifiers 1000V 1a Fast Rect SMa
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M_R1_00001PanJitDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+9.98 грн
100+7.62 грн
500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 86400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M_R1_00001PanjitRectifiers 1000V,Fast Recovery Rectifiers,SMA,1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
50+7.28 грн
100+5.93 грн
500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1M_R2_00001PanjitRectifiers 1000V Fast Recovery Rectifiers 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1NApex Tool GroupDescription: SHEAR,RUG,OFFSET HDL,SHARP PT
Features: Nickel Plated
Packaging: Bulk
Tool Type: Shears (Scissors)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1NApex Tool GroupWire Stripping & Cutting Tools SHEAR, INDUSTRIAL, OFFSET, RUG 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -80V -43A, HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.73 грн
10+166.06 грн
100+121.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
10+136.69 грн
50+104.76 грн
100+88.68 грн
500+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1N110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 43 A, 0.021 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 80V 11A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+228.11 грн
85+167.06 грн
116+122.16 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1N110ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -80V -43A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P090ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P090ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P090ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33 A, 0.026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P090ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 33A P CHAN
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BETB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 60A HSOP8
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BETB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1P600BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
10+168.69 грн
100+118.51 грн
500+99.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PB-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PB-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PB-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 100volt 1.0amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PB-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PB-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 100volt 1.0amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PB-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PBHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PBHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PBHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PBHM3/84AVISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PBHM3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PBHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PBHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-E3/84A
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+22.87 грн
100+14.24 грн
500+9.14 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 200volt 1.0amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-M3/84AVishayDiode Switching 200V 1A 2-Pin SMP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 200volt 1.0amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PD-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PDHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PDHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PDHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PDHM3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PDHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PDHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
16+19.47 грн
100+11.70 грн
500+10.16 грн
1000+6.91 грн
2000+6.36 грн
5000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PDHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 400volt 1.0amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-M3/84AVishayRectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 400volt 1.0amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PG-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PGHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PGHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PGHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PGHM3/85A
на замовлення 175014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PGHM3/85AVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PGHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PGHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-E3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-E3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-M3/84AVishayDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-M3/84AVishay SemiconductorsRectifiers 600volt 1.0amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-M3/84A
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-M3/85AVishay SemiconductorsRectifiers 600volt 1.0amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJ-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJHE3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJHE3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJHM3/84AVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJHM3/85AVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1PJHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE 100V 1A DO-220AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.