Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC846BLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 133945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G Код товару: 196221
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 69560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 133945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC846BM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC846BM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: BC846BM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 265mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 265mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 5619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN | на замовлення 7077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265/0.64W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.265/0.64W Case: SOT723 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2711 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW | на замовлення 19890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5H | ON Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | на замовлення 526500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5H | ON Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | на замовлення 526500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5H | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5H | ON Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | на замовлення 1115152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5H | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC846BM3T5H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 526500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BM3T5H | ON Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | на замовлення 78545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Supplier Device Package: DFN1006B-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC846BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 16268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC846BMB/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMB,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BMTF | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BMTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1 | onsemi | onsemi SS SC88 DUAL GEN XSTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1 Код товару: 190039
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 13689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BPDW1T1G | On Semiconductor | SOT-363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

