Продукція > BC6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC63916-D27Z | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.83W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Formed Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz | на замовлення 377 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold Substitute: BC63916_D74Z; BC63916D74Z; BC63916-D74Z TO92(Fan-Fold) ONSEMI TBC63916-D74Z | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | onsemi | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | на замовлення 15556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916-D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63916_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916_D27Z | ONS/FAI | Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916_D74Z_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63916_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC6398 | MINILOGIC | SOP24 | на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639BU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639BU | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 375000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639G Код товару: 84971
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC639G | On Semiconductor | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639RL1 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639RL1 | NXP | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639RL1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 200, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639RL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639RL1G | On Semiconductor | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92), замена BF422 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639RL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639RL1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639ZL1 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639ZL1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639ZL1G | On Semiconductor | (NPN,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639ZL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 56000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639ZL1G | ON | TO-92 10+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC639_L34Z | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-AQK-E4 | Qualcomm | BC63B239A04-AQK-E4 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-AQK-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 40QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 40-QFN Sensitivity: -90dBm Frequency: 2.4GHz Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Type: TxRx + MCU Power - Output: 10dBm Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 1 Data Rate (Max): 3Mbps RF Family/Standard: Bluetooth Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-AQK-E4 | Qualcomm | BC63B239A04-AQK-E4 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IKB-E4 | CSR | BGA?? | на замовлення 1158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 40-QFN (6x6) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 10dBm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | Qualcomm | Single Chip Bluetooth v2.1 EDR System | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 40QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 40-QFN (6x6) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 10dBm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IQD-E4 | CSR | QFN?? | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IUE-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 51WLCSP DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 51-WLCSP (3.16x3.44) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 7dbm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 51-UFBGA, WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IYB-E4 | CSR | 09+PbF | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A04-IYB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 51WLCSP DigiKey Programmable: Not Verified Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 7dbm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 51-UFBGA, WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 51-WLCSP (3.16x3.44) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A05-AQK-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 40UFQFN Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 1 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 4MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Sensitivity: -90dBm Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A05-AQK-E4C | Qualcomm | Description: IC BC6ROM AUTO SDIO/UART 40-QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad Sensitivity: -90dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 4MB ROM, 48kB RAM Type: TxRx + MCU Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V Power - Output: 8dBm Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 1 Data Rate (Max): 3Mbps RF Family/Standard: Bluetooth Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63B239A05-AQK-E4V | Qualcomm | Description: IC BC6ROM AUTO SDIO/UART 40-QFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63C159A03-GIVA-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 64BGA Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Sensitivity: -90dBm Package / Case: 64-BGA Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63C159A03-GIVA-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 64BGA Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Sensitivity: -90dBm Package / Case: 64-BGA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63C159A03-IQB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 48QFN Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth DigiKey Programmable: Not Verified Supplier Device Package: 48-QFN (7x7) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63C159A03-IQB-E4 | CSR | QFN | на замовлення 141 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63C159A03-IQB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 48QFN DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Obsolete RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 48-QFN (7x7) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 6MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC63C159A03U | CSR | 08+ | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63M100 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE 63M100 500V AC INDUSTRIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63M100 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses 63M100 415VAC INDUST | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63M80 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses 63M80 415VAC INDUST | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC63M80 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE 63M80 500V AC INDUSTRIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640 | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 100 Од. вим: шт кількість в упаковці: 500000 шт | на замовлення 28 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 24267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640 Код товару: 3455
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, MHz: 100 MHz Напруга Uке, V: 80 V Напруга Uкб, V: 80 V Струм Iк, A: 1 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 250 УКТЗЕД: 8541 21 00 90 | у наявності: 743 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BC640 | MIC | Tranzystor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC640TA; BC640-GURT; BC640-CDI; BC640 TBC640 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640 | Samsung | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BC640 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 12807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640 | CDIL | Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, Р, Вт = 0,8, 2,75, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Очікується: 325 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 260 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640 | NXP | (PNP,80V,1A,0.8W,100MHZ,TO-92) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640,112 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640,116 | NXP | TO 92 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640-(TO-92) BC640 | KLS | PNP, 80V, 1A, 0.8W, TO-92 Транзистори | на замовлення 1900 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640-016G | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC640-016G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640-10 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 0.83W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Current gain: 63...160 Mounting: THT Frequency: 100MHz | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640-16 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 0.83W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Current gain: 100...250 Mounting: THT Frequency: 100MHz | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC640-16 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC640-16-LGE; BC640-16-CDI; BC640-16 JSMICRO TBC64016 JSM | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640-16 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640-16 BC640 | LGE | TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640-16G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC640-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 1A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

