BC63916-D27Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC63916-D27Z onsemi
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC63916-D27Z за ціною від 6.74 грн до 42.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC63916-D27Z | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Zкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC63916-D27Z | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC63916-D27Z | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC63916-D27Z | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC63916-D27Z | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
на замовлення 4601 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC63916-D27Z | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC63916-D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC63916-D27Z | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BC63916-D27Z | Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z
кількість в упаковці: 100 шт
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.40 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1213+ | 11.66 грн |
| 1270+ | 11.15 грн |
| 1333+ | 10.62 грн |
| 1402+ | 9.73 грн |
| 1480+ | 8.54 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 19.94 грн |
| 4000+ | 19.79 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 20.03 грн |
| 62+ | 12.19 грн |
| 65+ | 11.66 грн |
| 100+ | 10.75 грн |
| 250+ | 9.48 грн |
| 500+ | 8.65 грн |
| 1000+ | 8.20 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.50 грн |
| 16+ | 27.36 грн |
| 18+ | 23.71 грн |
| 50+ | 16.58 грн |
| 100+ | 14.26 грн |
| 500+ | 10.36 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.30 грн |
| 13+ | 23.95 грн |
| 100+ | 15.27 грн |
| 500+ | 10.81 грн |
| 1000+ | 9.67 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.39 грн |
| 50+ | 24.27 грн |
| 100+ | 16.39 грн |
| 500+ | 11.49 грн |
| 1000+ | 9.44 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.19 грн |
| 13+ | 25.74 грн |
| 100+ | 14.26 грн |
| 500+ | 10.81 грн |
| BC63916-D27Z |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 6.74 грн |






