BC63916-D27Z onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 9.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC63916-D27Z onsemi
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC63916-D27Z за ціною від 7.44 грн до 46.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
на замовлення 5430 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC63916-D27Z | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
на замовлення 5182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 150 мА, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тип монт. = вивідний; TO-92-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |