BC63916-D27Z ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 8.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC63916-D27Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 80V TO-226AA-3, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC63916-D27Z за ціною від 7.67 грн до 51.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC63916-D27Z | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Power dissipation: 0.8W Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 100MHz Kind of package: bulk Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 6788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Power dissipation: 0.8W Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 100MHz Kind of package: bulk Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC63916-D27Z | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
на замовлення 5483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 80V TO-226AA-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 150 мА, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тип монт. = вивідний; TO-92-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| BC63916-D27Z | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BC63916-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |