Продукція > ONSEMI > BC63916-D27Z

BC63916-D27Z onsemi


bc63916-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC63916-D27Z onsemi

Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC63916-D27Z за ціною від 6.74 грн до 42.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON-Semiconductor TBC63916-D27Z_ON_0001.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1213+11.66 грн
1270+11.15 грн
1333+10.62 грн
1402+9.73 грн
1480+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 1213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.94 грн
4000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.03 грн
62+12.19 грн
65+11.66 грн
100+10.75 грн
250+9.48 грн
500+8.65 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ONSEMI BC63916D27Z.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.50 грн
16+27.36 грн
18+23.71 грн
50+16.58 грн
100+14.26 грн
500+10.36 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916-D27Z onsemi bc63916-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
13+23.95 грн
100+15.27 грн
500+10.81 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ONSEMI bc63916-d.pdf Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.39 грн
50+24.27 грн
100+16.39 грн
500+11.49 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916-D27Z onsemi bc63916-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.19 грн
13+25.74 грн
100+14.26 грн
500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z Fairchild/ON Semiconductor BC635-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+6.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z TBC63916-D27Z_ON_0001.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z bc63916-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1213+11.66 грн
1270+11.15 грн
1333+10.62 грн
1402+9.73 грн
1480+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 1213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z bc63916-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+19.94 грн
4000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z bc63916-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+20.03 грн
62+12.19 грн
65+11.66 грн
100+10.75 грн
250+9.48 грн
500+8.65 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC63916D27Z.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+37.50 грн
16+27.36 грн
18+23.71 грн
50+16.58 грн
100+14.26 грн
500+10.36 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z bc63916-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.30 грн
13+23.95 грн
100+15.27 грн
500+10.81 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z bc63916-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+41.39 грн
50+24.27 грн
100+16.39 грн
500+11.49 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z bc63916-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.19 грн
13+25.74 грн
100+14.26 грн
500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC63916-D27Z BC635-D.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+6.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.