Продукція > IPI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3 | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI65R310CFDXKSA1700 | Infineon Technologies | Description: IPI65R310 - 650V AND 700V COOLMO | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI65R380C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6 | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI65R380C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3 Mounting: THT Case: PG-TO262-3 Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 10.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R420CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 8.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD2 | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R420CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 10945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R600C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A I2PAK-3 CoolMOS C6 | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R660CFD | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 10483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6A I2PAK-3 CoolMOS CFD2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI65R660CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N04S307AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N10S3-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N10S3L-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N10SL-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 SIPMOS | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI70P04P4-09 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -70A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70P04P409AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70R950CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI70R950CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI77N06S3-09 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO-262 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L-03 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L-04 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N03S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N03S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S2-04 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S2-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S204AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S2H4AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S2H4AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S2H4AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S2H4AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S3-03 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S3-04 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S3-06 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S3-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk | на замовлення 172000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S304AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S306AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S3H4AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S4-03 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S4-03 | Infineon Technologies | Description: IPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S4-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S403AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPI80N04S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S403AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S403BAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 285682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N04S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N04S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S207AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S207AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N06S207AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S207AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N06S207AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S208AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S208AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S208AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S2L05AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N06S2L11AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S2L11AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V | на замовлення 40500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPI80N06S2L11AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S3-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 63A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S3-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7768 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S3L-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13060 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 115µA Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 69A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S3L-08 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6475 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 55µA Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S3L06XK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 56A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPI80N06S4-07 | Infineon | на замовлення 156500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPI80N06S4-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |