Продукція > NTT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.56 грн
100+70.82 грн
500+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4D9N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLN-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668 pF @ 20 V
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.91 грн
100+26.72 грн
500+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4D9N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4D9N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLN-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.31 грн
3000+16.13 грн
4500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
на замовлення 218180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON Semiconductor
на замовлення 11110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 18.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
15+57.96 грн
50+50.23 грн
200+39.40 грн
500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+56.31 грн
100+39.23 грн
500+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiMOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 47876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGOn SemiconductorMOSFET P-Channel 60V 20A 52mOhm WDFN8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.36 грн
200+38.64 грн
500+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.81 грн
3000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+49.06 грн
100+34.00 грн
500+25.46 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4745 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiMOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 7583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGONN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTWGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLonsemionsemi NFET U8FL 60V 37A 5.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
10+87.79 грн
100+86.16 грн
500+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 60V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON Semiconductor
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+28.08 грн
25+25.15 грн
100+20.59 грн
250+19.16 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.06 грн
3000+17.79 грн
4500+17.51 грн
7500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+61.67 грн
25+58.51 грн
100+42.17 грн
250+37.27 грн
500+35.30 грн
1000+27.01 грн
2500+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGON Semiconductor
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLonsemi T6 40V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.11 грн
3000+14.09 грн
4500+13.86 грн
7500+12.77 грн
10500+12.63 грн
15000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 17265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.57 грн
25+20.14 грн
100+16.43 грн
250+15.25 грн
500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.06 грн
10+127.71 грн
25+108.30 грн
100+80.98 грн
250+70.85 грн
500+64.61 грн
1000+58.42 грн
2500+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
10+165.98 грн
100+133.44 грн
500+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]