Продукція > SFT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SFT1445 | onsemi | NCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1445-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 35W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V | на замовлення 13400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1445-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 35W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1445-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1445-H - SFT1445-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1445-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1445-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1445-TL-H | On Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A TP-FA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1445-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1445-TL-H - SFT1445-TL-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 43263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1445-TL-H | onsemi | MOSFETs NCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1445-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1445-TL-H Код товару: 149653
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SFT1445-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 41164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1445-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: IPAK/TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: IPAK/TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1446-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1446-H - MOSFET N-CH 60V 20A TP tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1446-TL-H - MOSFET, N-CH, 60V, 20A, TP-FA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | Sanyo Electric | SFT1446-TL-H | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | Sanyo | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1446-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1446-TL-H-ON | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK/TP-FA | на замовлення 66721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1450-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1450-H - SFT1450-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1450-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | на замовлення 18500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1450-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1450-TL-H - SFT1450-TL-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 220099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V | на замовлення 220099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1450-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1452-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1452-H - SFT1452-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 972 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1452-H | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 715 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1452-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET NCH 250V 3A TP-FA(DPAK) | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1452-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1452-TL-W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1452-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1452-TL-W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1452-W | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1452-W | ON Semiconductor | MOSFET NCH 250V 3A TP(IPAK) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1458-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1458-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1458-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1458-H - SFT1458-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1458-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - SFT1458-TL-H - SFT1458-TL-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 145995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT1458-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V | на замовлення 145995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT1458-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc) Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A TS1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A TS1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT14GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14GHA1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14GHR0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT14GHR0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT15G R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT15G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT15GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 300V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT15GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 300V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT15GHR0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT15GHR0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT162 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SFT16212 | на замовлення 7882 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SFT16292 | на замовлення 7882 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SFT163 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SFT16G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT16G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G A1G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G B0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SFT16GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TS-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHA0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHA1G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHA1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHB0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHR0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,600V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHR0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT16GHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SFT170 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SFT171 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SFT172 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SFT173 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SFT174 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

