Продукція > SFT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SFT1446-HON SemiconductorMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-HONSEMIDescription: ONSEMI - SFT1446-H - MOSFET N-CH 60V 20A TP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: IPAK/TP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - SFT1446-TL-H - MOSFET, N-CH, 60V, 20A, TP-FA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-TL-HSanyoDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
753+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 753 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-TL-HSanyo ElectricSFT1446-TL-H
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
10000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-TL-HON SemiconductorMOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1446-TL-H-ONonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK/TP-FA
на замовлення 66721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Supplier Device Package: IPAK/TP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Supplier Device Package: IPAK/TP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-HONSEMIDescription: ONSEMI - SFT1450-H - SFT1450-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-TL-HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
10000+36.95 грн
100000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-TL-HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - SFT1450-TL-H - SFT1450-TL-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V
на замовлення 220099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-TL-HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-TL-HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1450-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-HONSEMIDescription: ONSEMI - SFT1452-H - SFT1452-H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-HRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-TL-WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+35.21 грн
1400+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-TL-WonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-TL-WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-TL-WON SemiconductorMOSFET NCH 250V 3A TP-FA(DPAK)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-TL-WON Semiconductor
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-TL-WonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-WON SemiconductorMOSFET NCH 250V 3A TP(IPAK)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1452-WON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1458-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc)
Supplier Device Package: IPAK/TP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1458-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK/TP
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1458-HONSEMIDescription: ONSEMI - SFT1458-H - SFT1458-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1458-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - SFT1458-TL-H - SFT1458-TL-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 145995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1458-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 145995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT1458-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1A 200V TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1A 200V TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14G A0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14G A1GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14G R0Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14G R0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.20 грн
100+10.79 грн
500+7.54 грн
1000+6.70 грн
2000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GHA0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GHA1GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GHR0Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT14GHR0GTaiwan SemiconductorRectifiers 1A,300V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT15G R0Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT15G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT15GHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 300V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT15GHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 300V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.19 грн
100+12.79 грн
500+8.98 грн
1000+8.01 грн
2000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT15GHR0Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT15GHR0GTaiwan SemiconductorRectifiers 1A,400V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT162CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16212
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16292
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT163CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.47 грн
100+11.67 грн
500+8.20 грн
1000+7.31 грн
2000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G A0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G A1GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G A1GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G B0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G R0Taiwan SemiconductorRectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G R0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.19 грн
100+12.79 грн
500+8.98 грн
1000+8.01 грн
2000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHA0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHA0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHA1GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHA1GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHB0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHR0Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,600V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHR0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns, 1A, 400V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16GHR0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT170CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT171CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT172CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT173CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT174CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT17G R0Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT17G R0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 500V 1A TS-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT17G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT17GHR0Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT17GHR0GTaiwan SemiconductorRectifiers 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT184CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT185CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT186CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT187ST
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SFT18GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A TS1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TS-1
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.47 грн
100+11.67 грн
500+8.20 грн
1000+7.31 грн
2000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT18GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A TS1
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TS-1
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT18G A0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFT18G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]