Продукція > SPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP0508BB8-7061H-16P | на замовлення 17558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP0530A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0530B | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0640A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0640C | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N60C3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP06N60C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP06N60C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SPP06N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk | на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 83 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3XK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 16358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP06N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V | на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP0770A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:SILICON NATURAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0770C | Essentra | Conduit Fittings & Accessories STRAIGHT PULL PLUG:EPDM BLACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N600S5 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C2 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP07N60C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 228 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C3 Код товару: 220695
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Order Manufacturer Part Number SPP07N60C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 21843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3 | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 21500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 21840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60S5 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220-3 CoolMOS S5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60S5 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP07N65C3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP07N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N65C3IN | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0896A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP0896B | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N50C3 Код товару: 113412
2
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 500 V Струм стоку Idd, A: 7 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 750/3 Монтаж: THT | у наявності: 25 шт
|
| ||||||||||||||
| SPP08N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 7.6A TO220-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N50C3 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP08N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number SPP08N50C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 7.6A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SPP08N50 - 800V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V | на замовлення 21945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3 | Infineon Technologies | Description: SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N80C3 | Infineon | CoolMOS 8A 800V 104W 0.65Ω SPP08N80C3 TSPP08N80C3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3XK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 | на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06P | INFINEON | TO220 08+ | на замовлення 28229 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 8.8A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06P H | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06P H | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PBKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PG | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 8.8A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PH Код товару: 113417
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Id, A: 8,8 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 335/10 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| SPP08P06PHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PHXK | Infineon technologies | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP08P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP08P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PHXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP08P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PXK | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP08P06PXK | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP08P06PXK - SPP08P06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP1 | Desco | Test Probes ESD Systems - Ion Bar Assembly, Air-Assisted 48 inch, 16 Emitters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N03S2-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP100N03S2-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N03S2-03 | INF | 07+; | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N03S2-03 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP100N03S2-03 - SPP100N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP100N03S203 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP100N03S2L-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |

