Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3301(TE16L1.NQ) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3302 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3303 | на замовлення 189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3303Y | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3304 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3305-S-AZ | Renesas | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3305-S-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3305-Z-E2-AZ | NEC | TO-263 05+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3305B-S19-AY | Renesas | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3305B-S19-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3305Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3306(3)-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3306B-S17-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 15495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3306B-S17-AY | Renesas | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3307 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3309 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3309 (Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3309 (TE24L,Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3309(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL Package / Case: TO-220-3, Short Tab Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FL Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3309(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 450V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3309(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK331 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3310 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3312 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3312(FC,Q) | Toshiba | 2SK3312(FC,Q) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3313 | Toshiba | MOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3313 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3313 (Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3313(IBM) | Toshiba | MOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3313(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3314 | Toshiba | MOSFET TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3314 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3314(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO-3PN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3314(Q) | Toshiba | MOSFET N-ch 500V 20A 0.480 ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3316 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3316 | Toshiba | MOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3318 | Panasonic Electronic Components | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F-A1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TOP-3F-A1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TOP-3F Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK331A | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK331B | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK331C | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK332 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2sk3320 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2sk3320 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3320 Код товару: 128726
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3320-BL(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH USV Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA Power - Max: 200 mW Part Status: Active Supplier Device Package: USV Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V FET Type: N-Channel | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3320-BL(TE85L,F | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 5-Pin USV T/R | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3320-BL(TE85L,F | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3320-BL(TE85L,F | Toshiba | JFETs Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA | на замовлення 13626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3320-BL(TE85L,F | Toshiba | Trans JFET N-CH Si 5-Pin USV T/R | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3320-BL(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET N-CH USV Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA Power - Max: 200 mW Part Status: Active Supplier Device Package: USV Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 38566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3320-BL(TE85LF | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3320-GR(TE85L) | Toshiba | MOSFETs USV FET(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3320-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET DUAL N-CH USV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3320-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET DUAL N-CH USV | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3320-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET DUAL N-CH USV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3320-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: JFET DUAL N-CH USV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3322(1)-ZK-E2-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3322(1)-ZK-E2-AZ | Renesas | 2SK3322(1)-ZK-E2-AZ | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3322Z | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3324 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3325 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3325B-S19-AY | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3325B-S19-AY | Renesas | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET 3TO-220AB | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3325Z | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3326(2)-AZ | Renesas | Description: 2SK3326 - Switching N Channel MO Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3326(2)-AZ | Renesas | 2SK3326(2)-AZ | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3326(9)AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: DISCRETE / POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3326(9)AZ | Renesas | 2SK3326(9)AZ | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3326-AZ | Renesas | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3326AZ | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3327 | NEC | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3328 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK332D | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK332E | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK332F | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK333 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3332 | SK | TO-220 | на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3335 | SANYO | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3338-01 | FUJITSU | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3338-01 TO-3P | FUJITSU | на замовлення 2992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3338-01TO-3P | FUJITSU | на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK333D | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK333E | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK333F | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK334 | HITACHI | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK334-11N | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK334-N12 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK334-N13 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK334-N14 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3342 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3342(6L1SINF,NX | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3342(T6L1MURATQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3342(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFET Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3342(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3342(TE16L1NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SK3348 | HITACHI | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SK3348CN | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SK3348CNTL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3348CNTL-E | Renesas | 2SK3348CNTL-E | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SK3348ENTL/CN | HITACHI | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

