Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3541T2L | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3541T2L | ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 30V .1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3546G0L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-F2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: SSMini3-F3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3546J0L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SSMINI3-F1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: SSMini3-F1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3546J0L | PANASONIC | SOT23/SOT323 | на замовлення 2192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3546JOL | PANASONIC | SOT23 | на замовлення 882 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3547 | PANASONIC | 09+ | на замовлення 479918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3547/2SK354700LS0 | PANASONIC | 07+ SOT-523 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK354700L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: SSSMini3-F1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK354700L | PANASONIC | 05+NOP | на замовлення 12467 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK354700LS0 | PANASONIC | 05+ SOT-523 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3547G0L | Panasonic Industry | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: SSSMini3-F2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 3 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3548 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3548 Код товару: 105044
Додати до обраних
Обраний товар
| Fuji | Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3548-O1 | FUJI | TO-3P | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK354A | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK355 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3550 | на замовлення 1607 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3554 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3554-01 | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3556-01S | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3556-01S-TB24R | TOSHIBA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3556-01S-TE24R | на замовлення 347 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3557 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SK3557 | onsemi | NCH J-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557 | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 10mA Drain-source voltage: 15V Type of transistor: N-JFET Gate-source voltage: -15V Gate current: 10mA Power dissipation: 0.2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 5V 3CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Output: 200mW Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 171801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | onsemi | JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | на замовлення 44479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 5V 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Output: 200mW Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3557-6-TB-EX | onsemi | Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-7-TB-E | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 16mA Drain-source voltage: 15V Type of transistor: N-JFET Gate-source voltage: -15V Gate current: 10mA Power dissipation: 0.2W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-7-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 5V 3CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V | на замовлення 16606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3557-7-TB-E | onsemi | JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | на замовлення 19848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-7-TB-E | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3557-7-TB-E | onsemi | Description: JFET N-CH 5V 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3557-7-TB-EX | onsemi | Description: 0.05A, N-CHANNEL, JFET, TO-236AB Part Status: Active Packaging: Bulk Voltage - Test: 5 V Voltage - Rated: 15 V Supplier Device Package: 3-CP Noise Figure: 1dB Technology: JFET Configuration: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 50mA Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current - Test: 1 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK356 | TOSHIBA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3561 | TOS | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3561 | Toshiba | MOSFETs N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561(LBS1CANOQM | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561(Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3561(Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561(S5TOJS,A,Q | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561(транзистор) Код товару: 72042
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3561,LS1MATUQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561,S4MURATQ(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561,S5MDNSIQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561,S5MDNSIQ(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561,S5MURATQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3561,S5Q(J | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3561,S5Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562 | Toshiba | MOSFETs N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562 Код товару: 30574
2
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220F Напруга сток-витік Uds, В: 600 В Струм стоку Idd, А: 6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1050/28 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT | у наявності: 21 шт
на замовлення: 6 шт
|
| ||||||||||
| 2SK3562 (STA4,Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562(Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562(STA4,Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF TO-220SIS PLN,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562, 6A 600V 1.25R, 2-10U1B | TOS | 09+ | на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562,LS1NORIQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562,LS1NORIQ(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562,NCNQ(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562,S5HILQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562,S5NCNQ(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562,S5Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3562,S5X(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563 | Toshiba | MOSFETs N-Ch 500V 5A Rdson 1.5 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563 | TOS | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3563(LBS1PACE,Q | Toshiba | MOSFET Pb-FF TO-220SIS,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563(LS2SONY,AQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563(LS2SONY,QM | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563(Q) | Toshiba | MOSFET N-Ch 500V 5A Rdson 1.5 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563(STA4,Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF TO-220SIS,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563,LS1NORIQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563,LS1NORIQ(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563,LS1RICOQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563,LS1RICOQ(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563,S5Q(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3563,S5TOLTQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3564 | Toshiba | MOSFETs N-Ch 900V 3A Rdson 4.3 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3564 Код товару: 150383
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3564(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3564(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3564(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3564(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3564(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3564(STA4,X,M) | Toshiba | 2SK3564(STA4,X,M) | на замовлення 139550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3564,S5Q(J | Toshiba | 2SK3564,S5Q(J | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3565 | Toshiba | Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SK3565 | Toshiba | MOSFETs N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK3565 Код товару: 183138
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3565 Код товару: 104283
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. |

