Продукція > TOSHIBA > 2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba

92sk3564_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba

Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2SK3564(STA4,Q,M) за ціною від 69.89 грн до 110.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3564(STA4,Q,M) Виробник : TOSHIBA 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564 2SK3564 THT N channel transistors
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.92 грн
15+73.57 грн
41+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564 Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.