Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SC3576
Код товару: 84824
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,3 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3576 - 2SC3576, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 35650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 3-Pin SPA
на замовлення 35650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3912+9.06 грн
10000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-AConsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.3A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-ACON Semiconductor2SC3576-AC
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3576-AC - 2SC3576-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-JVC-ACON Semiconductor2SC3576-JVC-AC
на замовлення 29359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-JVC-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3576-JVC-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-JVC-AConsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.3A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 29359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-MTK-AConsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.3A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-MTK-AConsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-MTK-ACON Semiconductor2SC3576-MTK-AC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4567+7.76 грн
10000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 4567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3576-MTK-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3576-MTK-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3577
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3578
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3579
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3580
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3581MITTO92
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3582
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583NECSOT-23
на замовлення 208960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583(NE68133)NEC/CELRF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-ARenesas ElectronicsRF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-ACELRF Bipolar Transistors NPN Silicon 9GHz NF 1.2dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-ACELDescription: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-ACELDescription: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-ARenesasTrans RF BJT NPN 10V 0.065A 200mW 3-Pin SC-59
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.18 грн
1000+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-ARenesas ElectronicsRF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-ARenesasTrans RF BJT NPN 10V 0.065A 200mW 3-Pin SC-59
на замовлення 69441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.18 грн
1000+51.81 грн
10000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
на замовлення 106212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-ACELRF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-ARenesasTrans RF BJT NPN 10V 0.065A 200mW 3-Pin SC-59
на замовлення 29014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.18 грн
1000+51.81 грн
10000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T1B-A/SRenesas2SC3583-T1B-A/S
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583-T2BNEC04+
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583R34
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3583R35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3584
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585NEC09+
на замовлення 43068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585
Код товару: 84826
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-236
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,035 A
h21: 60
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585(NE68033)NEC/CELRF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-ARenesas ElectronicsRF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-ACELRF Bipolar Transistors NPN Silicon 10GHz NF 1.8dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-ACELDescription: RF TRANS NPN 10V 10GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-R44
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1BNEC09+
на замовлення 36038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B(R45)NEC09+
на замовлення 14018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ARenesasMICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
на замовлення 71102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
10000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ARenesasMICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
10000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
на замовлення 431384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ARenesas ElectronicsRF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ARenesasMICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
на замовлення 210282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
10000+36.95 грн
100000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ARenesasMICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
10000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ACELRF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ARenesasMICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
10000+36.95 грн
100000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B-ACELDescription: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T1B/R44NEC00+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3585-T2BNECSOT23
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3586
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3587
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588NECTO-126
на замовлення 220730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-Z-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-Z-E1NECTO263/
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-Z-E1-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-Z-E1-AZSOT252
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-Z-E2-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588-Z-T2NEC00+ SOP;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588Z
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3588Z-E1TOSHIBASOT-252
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3589
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3590
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3591
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3591SanyoDescription: TRANS NPN 200V 7A TO-220AB
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3591Sanyo ElectricTrans GP BJT NPN 200V 7A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.92 грн
500+102.53 грн
1000+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3592
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3593TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3594TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3595
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3595DSanyo ElectricTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 1200mW 3-Pin TO-126
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3595DSanyoDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO-126
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3596
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3596EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.3A TO-126
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 700MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3596EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.3A 1200mW 3-Pin TO-126
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
1000+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3596EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3596E - 2SC3596E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3596EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.3A 1200mW 3-Pin TO-126
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
1000+79.00 грн
10000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3597
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3597DON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 1200mW 3-Pin TO-126
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 1955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3597DONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3597D - 2SC3597D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3597DonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1297+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 1297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3597EonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3598
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3598EonsemiDescription: TRANS NPN 120V 0.2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3598EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.2A 1200mW 3-Pin TO-126
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3598EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3598E - 2SC3598E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3599
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3599ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 120V 0.3A 3-Pin TO-126
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.48 грн
500+81.44 грн
1000+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3599ESanyoDescription: TRANS NPN 120V 0.3A TO-126
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 500MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 7mA, 70mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+64.39 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]