Продукція > BCW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW61C/DG/B2,215 | NXP Semiconductors | BCW61C/DG/B2,215 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B2215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4,215 | NXP Semiconductors | BCW61C/DG/B4,215 | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B4215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CE6327 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61CE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CE6327 | INFINEON | PNP Uce=32V, Ic=100mA, P=330mW, B>40, SOT23 | на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon | PNP 100mA 32V 330mW 250MHz BCW61C smd TBCW61c кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61CE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 BCW61CE6327 | Infineon | (PNP,35V,0.2A,180MHZ,SOT-23) Транзистори | на замовлення 24 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61CMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61CT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 200MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SST3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SST3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = -32, Ic = -100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 380...630 @ Ic = -50 mA, Uce = -1 V, Icutoff-max = -20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -335 @ -50 mA, -1,25 mA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2317 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61D | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D | Infineon | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D Код товару: 1360
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, MHz: 100 MHz Напруга Uке, V: 32 V Напруга Uкб, V: 32 V Струм Iк, A: 0,2 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 630 УКТЗЕД: 8541 21 00 90 | у наявності: 19 шт
|
| ||||||||||||||||
| BCW61D | NXP | Tranzystor PNP; 630; 250mW; 32V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW61D,215; BCW61DE6327HTSA1; BCW61D TBCW61d кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61D T/R | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 32V .1A PNP BJT | на замовлення 5704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP | TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61D/BDP | PHILIPS | на замовлення 5122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW61DE6327 | INFINEON | PNP, 32 В, 100 мА, 330 мВт | на замовлення 5402 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 64915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61DE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 190400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 185703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 : BCW61DE6327 BCW61DE6327 | Infineon | TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 Транзистори | на замовлення 421 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DLT1 | ON Semiconductor | BCW61DLT1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DLT1 | onsemi | Description: TRANS GP BJT PNP 32V 0.1A Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61DMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT-23-3 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61E6384HTMA1 - BCW61 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | на замовлення 810000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW61FN | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW62D | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW64FN | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65A | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65ALT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 459 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G Код товару: 53614
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | на замовлення 15873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2597 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 45988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65B | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65B(Z) | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65BTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65BTC | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65BTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65C | SM | на замовлення 357000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW65C | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65C-T&R-SIE | Infineon | NPN 32 V 1 A 100 MHz SOT-23 Транзистори | на замовлення 1175 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1 - BCW65CLT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 290 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | на замовлення 19413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 14036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCW65CTA | ZETEX | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

