Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MDD310-08N1IXYS305A/800V/DIODE/2U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-12module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-12(16)N1IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-12N1Диодный модуль Itav=2*305А, 1200В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-12N1IXYSDescription: DIODE MOD GP 1.2KV 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-12N1IXYSDiode Modules 310 Amps 1200V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-14N1IXYSDiscrete Semiconductor Modules 310 Amps 1400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-14N1Диодный модуль Itav=2*305А, 1400В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-14N1IXYSDescription: DIODE MOD GP 1.4KV 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-16module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-16N1Диодный модуль Itav=2*305А, 1600В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-16N1IXYSDescription: DIODE MOD GP 1.6KV 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1600 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7958.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-16N1IXYSDiscrete Semiconductor Modules 310 Amps 1600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-18N1IXYSDescription: DIODE MOD GP 1800V 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-18N1IXYSDiode Modules 310 Amps 1800V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-18N1Диодный модуль Itav=2*305А, 1800В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-20N1Диодный модуль Itav=2*305А, 2000В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-20N1IXYSDescription: DIODE MOD GP 2000V 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 2000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-20N1IXYSDiscrete Semiconductor Modules 310 Amps 2000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-22N1IXYSDescription: DIODE MOD GP 2.2KV 305A Y2-DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y2-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 305A
Supplier Device Package: Y2-DCB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 2200 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8975.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-22N1IXYSDiode Modules 310 Amps 2200V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310-22N1Диодный модуль Itav=2*305А, 2200В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD310/12N1IXYSMODULE
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD31016N1IXYSMODULE
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1Диодный модуль Itav=2*310А, 1200В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1IXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Max. forward impulse current: 9.18kA
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1LittelfuseRectifier Diode 1.2KV 310A 3-Pin Y1-CU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1IXYSDescription: DIODE MODULE 1.2KV 310A Y1-CU
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11254.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1IXYSDiode Modules 312 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1IXYSDescription: DIODE MODULE 1.4KV 310A Y1-CU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1IXYSDiscrete Semiconductor Modules 312 Amps 1400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1Диодный модуль Itav=2*310А, 1400В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-14N1IXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.4kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Max. forward impulse current: 10.8kA
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16NIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1IXYSDescription: DIODE MODULE 1.6KV 310A Y1-CU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1IXYSDiode Modules 312 Amps 1600V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1LittelfuseRectifier Diode 1.6KV 310A 3-Pin Y1-CU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1IXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Max. forward impulse current: 9.18kA
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1Диодный модуль Itav=2*310А, 1600В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - MDD312-16N1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 310 A, 1.33 V, Zweifach, Reihenschaltung, Y1, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Y1
Durchlassstoßstrom: 10.8kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.33V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 310A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11679.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1IXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Max. forward impulse current: 10.8kA
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1Диодный модуль Itav=2*310А, 1800В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1IXYSDescription: DIODE MODULE GP 1800V 310A Y1-CU
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 mA @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 600 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Y1-CU
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 310A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y1-CU
Packaging: Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11369.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1IXYSDiode Modules 312 Amps 1800V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1IXYSDescription: DIODE MODULE 2KV 310A Y1-CU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1IXYSDiscrete Semiconductor Modules 312 Amps 2000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1IXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Max. forward impulse current: 10.8kA
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-20N1Диодный модуль Itav=2*310А, 2000В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1IXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2.2kV
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Max. load current: 520A
Max. forward impulse current: 9.18kA
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1Диодный модуль Itav=2*310А, 2200В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - MDD312-22N1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 310 A, 1.33 V, Zweifach, Reihenschaltung, Y1, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Y1
Durchlassstoßstrom: 10.8kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.33V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 310A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13442.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1IXYSDescription: DIODE MODULE 2.2KV 310A Y1-CU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1IXYSDiode Modules 312 Amps 2200V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3400NextGen ComponentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3400ANextGen ComponentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3400AMDDMOSFET N-CH 30V 4.2A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3401NextGen ComponentsDescription: MOSFET P-CH -30V -4.2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3401ANextGen ComponentsDescription: MOSFET P-CH -30V -4.2A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3407NextGen ComponentsDescription: MOSFET P-CH -30V -4.1A SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3752RHMagnaChip SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.57 грн
26+30.00 грн
29+26.34 грн
100+23.05 грн
500+19.77 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3752RH
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3752RHMagnaChip SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
538+26.34 грн
592+23.90 грн
639+22.14 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 538 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3752RHMagnaChip SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3752RHMagnaChip SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3754RH
на замовлення 33030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3754RHMagnaChip SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3754RHMagnaChip SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD3754RHMagnaChip SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-06N1IXYSMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-08IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-08N1IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-08N1X1IXYSCDH1-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-12IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-12M4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-12N1IXYSMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-14IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42-14N1IXYSMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD42/12IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-06N1IXYSCDH1-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-06N1BIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-08N1IXYSCDH1-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-08N1BДиодный модуль Itav=2*59А, 800В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-08N1BIXYSDescription: DIODE MODULE GP 800V 64A TO240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-08N1BIXYSDiode Modules 44 Amps 800V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-08N1BIXYSCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 800V; If: 59A; TO240AA; Ufmax: 1.26V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 59A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.26V
Max. forward impulse current: 1.15kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 100A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-08N1BLittelfuseDiode Schottky 800V 59A 3-Pin TO-240AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12(16)N1BIXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12N1IXYSMODULE
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12N1BIXYSDescription: DIODE MOD GP 1200V 64A TO-240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Box
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1881.94 грн
36+1149.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12N1BIXYSDiode Modules 44 Amps 1200V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12N1BLittelfuseDiode Schottky 1.2KV 59A 3-Pin TO-240AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12N1BДиодный модуль Itav=2*59А, 1200В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-12N1BIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - MDD44-12N1B - Diodenmodul, 1.2 kV, 59 A, 1.6 V, Zweifach, Reihenschaltung, TO-240AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-240AA
Durchlassstoßstrom: 1.15kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.6V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 59A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1914.25 грн
5+1680.96 грн
10+1447.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-14N1BДиодный модуль Itav=2*59А, 1400В Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-14N1BIXYSDescription: DIODE MOD GP 1400V 64A TO-240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-14N1BIXYSDiode Modules 44 Amps 1400V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-16IXYS
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  Наступна Сторінка >> ]