Продукція > 2SK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 24 32 40 48 56 64 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SK1314S
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1315L-ERenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+197.17 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1315L-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) LDPAK(L) Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.60 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1315LS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1316
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1316LS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1316S
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317
Код товару: 1168
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 1500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 9 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 3,9Ohm; 4A; 65W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2SK1317-E; 2SK1317 T2SK1317
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+162.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317HITACHI09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1483.37 грн
30+900.09 грн
120+784.65 грн
510+714.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-ERenesas ElectronicsMOSFETs NCH PWR MOSFET 1500V 2.5A 12000MOHM TO3P
на замовлення 87513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+993.86 грн
10+879.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-ERenesasN-кан. MOSFET 1500V, 2.5A (7А имп.), 100Вт, TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-ERENESASDescription: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+954.40 грн
5+905.27 грн
10+856.14 грн
50+749.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-ERenesas2SK1317 HIT2SK1317
кількість в упаковці: 360 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1318
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1318-90-ERenesas2SK1318-90-E
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+337.84 грн
100+321.30 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1318-90-ERenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+238.61 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1318-ERenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1319S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK132
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1320S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1321S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1322S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1323S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1324S
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1326HITACHI
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1327
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1327LS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1328
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1329
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK133
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1330
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1330A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1331
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1332
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1332-3-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK1332-3-TL-E - 2SK1332 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1332-3-TL-EON Semiconductor2SK1332-3-TL-E
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4567+7.76 грн
10000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 4567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1332-3-TL-EON Semiconductor2SK1332-3-TL-E
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4567+7.76 грн
10000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 4567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1332-3-TL-EonsemiDescription: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1333
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1334HITACHI
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1334BY90TR-ERenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1334BYTL
Код товару: 113461
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1334BYTLRENESASSOT89
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1334BYTL-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1334BYTLE
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1334BYTLSOT89-BYRENESAS
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1335
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1335-90LRenesas2SK1335-90L
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+159.47 грн
1000+146.48 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1335-90LRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+125.65 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1335LS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1336
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1336-90TZ-ERenesas2SK1336-90TZ-E
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+159.47 грн
1000+146.48 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1336-EHIT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1336EHIT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1337
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1337TZ-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.3A 3-Pin TO-92
на замовлення 13787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1618+21.91 грн
10000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 1618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1337TZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 19190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1337TZ-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.3A 3-Pin TO-92
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1618+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 1618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1338
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1338-ERenesas Electronics CorporationDescription: NCH POWER MOSFET 900V 2A 7000MOH
Packaging: Tray
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1339
Код товару: 44190
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1339HIT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1339-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1339.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1339-ERenesas ElectronicsMOSFET POWER Transistor HV MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1339-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK134HITACHI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1340
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1340-ERenesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1340-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1341
Код товару: 83004
Додати до обраних Обраний товар
HitachiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 2,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1341
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1341-ERenesas ElectronicsMOSFET PowerMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1341-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1342
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1342
Код товару: 81804
Додати до обраних Обраний товар
HitachiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 900 V
Idd,A: 8 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+155.00 грн
10+124.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1342-ERenesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1342-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1344
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1345
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1346
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1347
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1348
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1349
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK134H
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK135HITACHI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK135-MAGTT ElectronicsTT Electronics MOSFET - LATERAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1350
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1351TOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1352
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1356TOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1357
Код товару: 73500
1 Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PB
Uds,V: 900 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/60
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
  • 3 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+68.00 грн
10+62.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1357
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1358ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1358
Код товару: 52675
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/120
товару немає в наявності
1+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1359TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1359ToshibaMOSFETs TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1359(F)ToshibaMOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 24 32 40 48 56 64 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]