Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF1404ZL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZL | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF1404ZL - AUIRF1404 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZS | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZS | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 2700 µohm, D2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 2700 µohm, D2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1404ZSTRLCT | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1405 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405-INF | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | на замовлення 22100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1405ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 150A TO262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1405ZL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | на замовлення 3759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 150A TO262 | на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1405ZL-308 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | на замовлення 22300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF1405ZL-308 | Infineon Technologies | HEXFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZL-308 | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET 55V 75A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZS | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZS-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZS-7P | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZS-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZS-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF1405ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2607ZTRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2607ZTRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804L | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804L | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804L | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804L | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF2804L - AUIRF2804 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804L | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 6864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804L Код товару: 100972
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AUIRF2804L-313 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804L-313 | Infineon / IR | MOSFET AUTO D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804L-313TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804LRL306 | Infineon Technologies | Description: IC MEMORY Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804S | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804S-7P Код товару: 168238
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AUIRF2804S-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804S-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 43657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804S-7P | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804S-7P-IR | International Rectifier | Description: PFET, 240A I(D), 40V, 0.0016OHM, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF2804STRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804STRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF2804STRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804STRL транзистор Код товару: 193553
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AUIRF2804STRL7P | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL7P | International Rectifier HiRel Products | AUIRF2804STRL7P | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2804STRR7P | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804WL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Wide Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 187A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Wide Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7978 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2804WL | Infineon / IR | MOSFET 40V 295A 1.8mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2805 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2805 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2805S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2805S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2805S | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2805STRL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2805STRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2805STRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2807 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2807 Код товару: 46389
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AUIRF2807 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRF2903Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRF2903Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |