Продукція > BC3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC32840TA_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP -25V -800mA HFE/63 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328AP | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328APSTOA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328APSTOB | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328APSTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328BP | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328BPSTOA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328BPSTOB | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328BPSTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328BU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328BU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.8A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328C | на замовлення 8610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC328CP | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328CPSTOA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328CPSTOB | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328CPSTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328P | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328PSTOA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328PSTOB | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328PSTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TA | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP, -25V/-0.8A,100-630 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TAR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TF | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328TFR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328_J35Z | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP GEN PURP XTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328_J35Z | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.8A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328_J35Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC328_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP -25V -800mA HFE/63 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC32AAL | MPD (Memory Protection Devices) | Description: BATTERY HOLDER AA 2 CELL SMD TAB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC32AASF | MPD (Memory Protection Devices) | Description: BATTERY HOLDER AA 2 CELL 9V SNAP | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC32AAW | Memory Protection Devices, Inc. | Nickel Plate Battery Holder | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC32AAW | MPD (Memory Protection Devices) | Description: BATT HOLDER AA 2 CELL 6" LEADS | на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC32F1-1.8432MHz 1,8432 МГц | Caliber | HC-49US (высота 3.68мм), 15/30 ppm, 32 пФ, -40...+85 Кварцові та керамічні резонатори та генератори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC32RB-08-STD | Quectel | Sub-GHz Modules CAT NB1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 | onsemi | Description: TRANS NPN GP 800MA 45V TO92 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 210MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK STR LEAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 | NXP | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC337 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 | ON Semiconductor | Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, B=100-630@I=100mA, f=210MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BC337 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 43912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337 AMO | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 45V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 45V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SS Aud Amp | на замовлення 6838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337 T/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 800mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337 транзистор Код товару: 197629
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC337,112 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-016 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC337-016 - BC337-016, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-016 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-016 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-016G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC337-016G - BC337-016G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-016G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-016G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 12968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-016G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 12968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-025 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-025G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-025G | ON Semiconductor | на замовлення 2403 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC337-025G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 52165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-025G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC337-025G - BC337-025G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 54245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-040 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-040 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-040G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC337-040G - BC337-040G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 74598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-040G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 71598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-040G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-040G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | LGE | Tranzystor NPN; 250; 625mW; 45V; 800mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC337-16-LGE; BC337-16BK; BC33716BU; BC33716TA; BC337-16-DIO; BC337-16-GURT; BC337.16; BC337-16 TBC33716 кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 160 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz | на замовлення 6207 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 Код товару: 218759
Додати до обраних
Обраний товар
| LGE | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 100 MHz Uceo,V: 45 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,8 A Монтаж: THT | у наявності: 1924 шт
|
| ||||||||||||||
| BC337-16 | DIOTEC | Tranzystor NPN; 250; 625mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC337-16-DIO; BC337-16 TBC33716 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 45V, 800mA, NPN | на замовлення 8562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...250 Mounting: THT Frequency: 210MHz | на замовлення 3925 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | LGE | Tranzystor NPN; 250; 625mW; 45V; 800mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC337-16-LGE; BC337-16BK; BC33716BU; BC33716TA; BC337-16-DIO; BC337-16-GURT; BC337.16; BC337-16 TBC33716 кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 6207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 41468
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 100 MHz Uceo,V: 45 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,8 A Монтаж: THT | у наявності: 7 шт
|
| ||||||||||||||
| BC337-16 A1 | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 A1G | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 A1G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 800mA; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz | на замовлення 400000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC337-16 AMO | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN GP 500MA 45V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 AMO | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 B1 | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 B1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 B1G | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 45V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC337-16 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 800mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

