Продукція > FGH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FGHL75T65MQD | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGHL75T65MQD | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/176ns Switching Energy: 1.94mJ (on), 1.55mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 145 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGHL75T65MQDT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGHL75T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGHL75T65MQDT | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGHL75T65MQDT | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGHL75T65MQDT | onsemi | IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE | на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGHL75T65MQDT | ONN | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FGHL75T65MQDT | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGHL75T65MQDTL4 | onsemi | IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGHL75T65MQDTL4 | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 375W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 375W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 149nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FGHL75T65MQDTL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGHL75T65MQDTL4 | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| FGHOV225Z-L5(T3-270) | NEC | на замовлення 5719 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |