Продукція > FQB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQB8P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8P10TMFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB90N08FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB95N03FAIRCHILD03+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB95N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N08fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N08LFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N08LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N08TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N08TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB9N08TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N15FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N25FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N25Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N25CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N25TMRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N30FAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50Consemi / FairchildMOSFET QFC 500V 800MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50Cfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CFonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CFfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CFTMFAIRCHIL..
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CFTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CFTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CFTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CFTM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CTMON Semiconductor
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+154.02 грн
25+125.64 грн
100+107.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50TMFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50TMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+94.40 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9P25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9P25TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9P25TMonsemi / FairchildMOSFETs 250V P-Channel QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9P25TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9P25TMONS/FAITrans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9P25TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB9P25TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7