Продукція > CY7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1049G18-15ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G18-15ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Async SRAMS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 570 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube Case: SOJ36 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 2.2...3.6V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 36-SOJ Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tube Access Time: 10 ns | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 36Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel Case: SOJ36 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 2.2...3.6V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 675 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; TSOP44 II; parallel Case: TSOP44 II Mounting: SMD Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 2.2...3.6V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 8634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 675 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049G30-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; TSOP44 II; parallel Case: TSOP44 II Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 2.2...3.6V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10VXI | Cypress Semiconductor | SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Y | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Async SRAMS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GE30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 570 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube Case: SOJ36 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 4.5...5.5V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 570 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Tube Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | на замовлення 581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 570 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 570 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel Case: SOJ36 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 4.5...5.5V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049GN-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Cypress | 8-bit Memory IC; 512Kb-SRAM; 2,2~3,6V; -40~85°C; Equivalent: K6R4008V1D-KI10; AS7C34096A-10JIN; CY7C1049DV33-10VXI; IS61LV5128AL-10KLI; CY7C1049GN30-10VXI PS4096/8/010 smd кількість в упаковці: 3 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 3.6 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Tube Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; SOJ36; parallel; tube Case: SOJ36 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 2.2...3.6V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 570 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 570 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10VXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Case: TSOP44 II Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Access time: 10ns Operating voltage: 2.2...3.6V Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Cypress | 8-bit Memory IC; 512Kb-SRAM; 2,2~3,6V; -40~85°C; CY7C1049GN30-10ZSXIT PSCY7C1049GN30-10ZSXIT кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 77 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Cypress Semiconductor | Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,2...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт кількість в упаковці: 135 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXI | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM ASYNC SRAMS | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXIT | INFINEON | Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXIT | Infineon Technologies | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXIT | Infineon Technologies | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CY7C1049GN30-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; TSOP44 II; parallel Case: TSOP44 II Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 10ns Supply voltage: 2.2...3.6V DC Memory organisation: 512kx8bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CY7C1049L-17VC | SOJ-36L | на замовлення 999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1049L-20VC | SOJ-36L | на замовлення 999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1049L-20VI | CYPRES | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1049L-25VC | SOJ-36L | на замовлення 999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CY7C1049V33-12VC | на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CY7C1049V33-12VXC | на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CY7C1049V33-15VC | CYPRESS | 04+ SOJ36 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

