Продукція > mmb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 90 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT3906-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
6000+1.41 грн
9000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.36 грн
6000+1.16 грн
9000+1.08 грн
15000+0.93 грн
21000+0.88 грн
30000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906-TP-HFMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906/2A
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906ALT1G
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906BLT1G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906DW1T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906DW1T1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906DWT1/A2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906E8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FA-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0806-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.36 грн
25+24.46 грн
50+20.07 грн
100+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 435mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FA-7BDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FA-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
на замовлення 7670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FA-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 435mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 435mW; X2-DFN0806-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 435mW
Case: X2-DFN0806-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT DFN 3L/TRA/DFN/GPT-03FNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-DFN (0.6x1)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+8.98 грн
100+5.56 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
2000+2.98 грн
5000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-200mA DFN3L
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-DFN (0.6x1)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3_R1_00501Panjit International Inc.Description: PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: DFN1006-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.54 грн
20000+1.33 грн
30000+1.26 грн
50000+1.10 грн
70000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3_R1_00501PanjitBipolar Transistors - BJT PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VCE-40V IC-200mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Case: DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FN3_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-200mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 925mW; X2-DFN0606-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 925mW
Case: X2-DFN0606-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 121857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.78 грн
25+26.51 грн
50+21.76 грн
100+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
на замовлення 13017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.60 грн
30000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906G-AE3-RUTC
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906GSOT-23T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906GSOT-323
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906H RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23, -40V, -0.2A, PNP Transistor
на замовлення 8268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.78 грн
74+10.22 грн
75+10.11 грн
122+5.96 грн
250+5.47 грн
500+3.82 грн
1000+3.31 грн
3000+2.68 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906H RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, -40V, -0.2A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.15 грн
100+5.02 грн
500+3.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2308+6.13 грн
3172+4.46 грн
3668+3.86 грн
4519+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 2308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906H RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, -40V, -0.2A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906H RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.19 грн
100+3.83 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP -40Vcbo -40Vceo Vebo -5V -200mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.76 грн
9000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906HLT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906HLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906KFAIRCHILDMMBT3906K
на замовлення 864060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906KFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 865626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23, -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906Lonsemionsemi SS SOT23 GP XSTR PBFREE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0,3mW PNP Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFTaiwan SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 60816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor
на замовлення 12456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
6000+1.92 грн
9000+1.80 грн
15000+1.56 грн
21000+1.49 грн
30000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906L3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP -40Vcbo -40Vceo 150mW -5V -200mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LPGOODWORKDescription: PNP100mA 45V 200mW SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.69 грн
9000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
на замовлення 52537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 101230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.83 грн
25+17.30 грн
50+14.15 грн
100+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7BDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 29998 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7BDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1onsemiDescription: TRANS PNP 40V 200MA SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1 SOT23-2AMOTOROLA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT12A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON-SemiconductorPNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 33988 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7732+1.83 грн
7813+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 7732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 47615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 964 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 36574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 64430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12049+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 12049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.87 грн
6000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.83 грн
6000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 675000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8065+1.75 грн
12000+1.58 грн
27000+1.57 грн
51000+1.46 грн
102000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 8065 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GOn SemiconductorSOT23 Транзистори
на замовлення 105 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
105+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.98 грн
7212+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 7143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.65 грн
90+8.47 грн
148+5.12 грн
500+3.55 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 36574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G
Код товару: 23943
1 Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 250 МГц
Напруга Uке, В: 40 В
Напруга Uкб, В: 40 В
Струм Iк, А: 0,2 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується 20.08.2026
на замовлення: 230 шт
  • 230 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 116041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 90 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]