Продукція > 2SJ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ356-T1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 4182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ356-T1/PR | NEC | 02+ SOT-89 | на замовлення 176000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ356-T2 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ356-T2/PR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2SJ357 | NEC | SOT89 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ358 | NEC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ358(0)-T1 | NEC | 07+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ358(0)-T1-AY | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ358(0)-T1-AZ | NEC | SOT223/2.5 | на замовлення 886 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ358-T1 | NEC | SOT223 | на замовлення 966 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ358-T1-AZ | Renesas | Description: 2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): +10V, -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: MP-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Bulk | на замовлення 5550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ358C(0)-T1-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ358C-T1-AZ | Renesas | Description: 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: MP-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) | на замовлення 4101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ359 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ360 | VBsemi | Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini (SC-62) (SOT89) 2SJ360(TE12L,F) T2SJ360 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ360 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ360 (TE12L,F) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ360(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Package / Case: TO-243AA Packaging: Bulk Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: PW-MINI Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ360(F) | Toshiba | MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ360(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: PW-MINI Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ360(TE12L,F) | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch, 60V, 1A, Rdson 0.73 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ360(TE12LF) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ360/Z8 | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ360TE12LF | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ361 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ361RYTR-E | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ362 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ363 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ364 | PANASONIC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ365 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ366 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ366 SOT252 | SHINDENG | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ367 | NEC | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ368 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ369 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ369(F10S6P)SOT263 | SHINDENGEN | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ370 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ371 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ372 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ373 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ374 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ375 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ376 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ377 | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ377 Код товару: 110299
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ377(Q) | Toshiba | MOSFET MOLD PLN,ACTIVE,DISCON(09-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1AD,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1AISI,NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1CANO,NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1FJTN,NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1MDN,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1MH,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1ND,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1NLS,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1NS,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1PCC,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1PP,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1PSD,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1SMC,NQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1SUMISNQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1TOJS,NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1TOLT,NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1TOYOGNQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6L1YAZK,NQ | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6LND) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6LND) | TOSHIBA | SOT252/2.5 | на замовлення 141 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(T6LTOYOG) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(TE16L1,N) | Toshiba | MOSFET MOLD PLN,DISCON(05-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFET P-CHAN 60V 5A 2-7J1B Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson 0.19 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(TE16R1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PW-MOLD Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(TE16R1,NQ) | Toshiba | MOSFET P-ch 3 Pins Pin 1 feeds R side | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377(TE16R1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PW-MOLD Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ377?2-7B1B? | Toshiba | 0209 | на замовлення 699 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ378 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ378(TP,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 5A TPS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ379 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ380 | Toshiba | MOSFETs 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ380 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ380 Код товару: 51527
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SC-67 Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 12 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,32 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ380 (F,T) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ380(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TO-220NIS Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ380(F) | Toshiba | MOSFET Pb-F 220NIS2 PLN,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ380(FT) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ381 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ381-TD | SANYO | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ381-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SJ381-TD-E - 2SJ381 - P-CHANNEL 2.5V DRIVE SERIES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ381-TD-E | onsemi | Description: PCH 2.5V DRIVE SERIES | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ381-TD/JI | SANYO | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ381-X | SANYO | SOT223 | на замовлення 981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SJ382 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ383 | SANYO | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ384 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ386 | TOSHIBA | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ387 | HITACHI | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ387L-E | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| 2SJ387STL | на замовлення 773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2SJ387STL-E | TO-252 | на замовлення 4774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SJ387STL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 14497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

