Продукція > BCP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCP53-16HX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16HX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-16T,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 26638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T-QF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 100V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 100V PNP | на замовлення 560468 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | On Semiconductor | SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ON-Semiconductor | Transistor PNP; 250; 1,5W; 80V; 1,5A; 50MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCP53-16T3G; BCP53-16T1G TBCP5316 ONS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T1G Код товару: 86075
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-16T3 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T3 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V | на замовлення 32000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | On Semiconductor | SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 87 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 4000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16T3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.5W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16TF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-16TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SC-73, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SC-73 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 28200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16TF | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Case: SC73; SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-16TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SC-73, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SC-73 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 651000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16TX | NXP | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BCP53-16TX TBCP53-16TX кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16TX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TX | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Case: SC73; SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-16TX | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,35, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-16TX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-6 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 40...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-6 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, PNP | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-6 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 145MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53.115 BCP53 | NXP | (PNP,80V,1A,1.5W,B=250,50MHZ,SOT-223) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310MTWG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310MTWG | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; WDFN3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: WDFN3 Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310MTWG | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW Packaging: Bulk Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5310MTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2 | на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5310T1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCP5310TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP53 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5310TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5310TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCP5310TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP53 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5310TA | Diodes INC. | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Тип монт. = smd, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5310TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5310TA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Quantity in set/package: 1000pcs. | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5310TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5316 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCP5316 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5316E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-24 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5316H6327XTSA1 - BCP 53-16 - AF TRANSISTOR ARRAY tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5316H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5316H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP5316H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT223-4-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |

