Продукція > FDM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMC7660S-TE | ON Semiconductor | FDMC7660S-TE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7664 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench | на замовлення 2804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench | на замовлення 4181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672 | onsemi | MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench | на замовлення 3452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V | на замовлення 11181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 9009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 33W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 33W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672S | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET | на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672S | FAIRCHILD | QFN | на замовлення 2044 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 36W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 45A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672S | onsemi | MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7672S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672S-F126 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CHAN 14.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672S_F126 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672S_F126 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7672S_F126 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7678 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7678 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7678-L701 | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7678-L701 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7678-L701 | onsemi | Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7678-L701 | onsemi | Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7680 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 11422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7680 | onsemi / Fairchild | Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7680 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7680 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | ON Semiconductor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMC7692 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 29W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A | на замовлення 2935 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench | на замовлення 37139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 Код товару: 116194
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDMC7692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 7200 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | onsemi | MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench | на замовлення 11054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692S | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | на замовлення 76828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692S | FAIRCHILD | QFN | на замовлення 2766 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F126 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F126 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CHAN 12.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F127 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7692S-F127 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7696 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7696 | FAIRCHILD | QFN | на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7696 | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7696 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7696 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7696 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7696 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7696 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC7696_F065 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V PWR33 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7696_F065 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V PWR33 | на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7696_F065 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo | на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC7696_F065 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V PWR33 | на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | onsemi | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V | на замовлення 8997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 6066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 9885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC8010 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 18808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDMC8010A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010A | FAIRCHILD | FDMC8010A | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010DC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | на замовлення 9546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDMC8010DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

