Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC7672S-F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S-F126ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 14.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S_F126Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S_F126Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S_F126Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7678onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7678onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7678-L701onsemiDescription: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7678-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7678-L701onsemiDescription: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.91 грн
50+45.44 грн
100+37.93 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7678-L701onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+44.94 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 787 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+93.97 грн
100+63.56 грн
500+48.15 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+44.94 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 787 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+44.94 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 787 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680onsemi / FairchildSensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+44.94 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 787 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V
на замовлення 11422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692onsemi / FairchildMOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench
на замовлення 37139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.30 грн
14+54.62 грн
25+54.08 грн
100+44.51 грн
250+41.01 грн
500+34.43 грн
1000+30.90 грн
3000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
10+46.88 грн
50+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692
Код товару: 116194
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692onsemiMOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench
на замовлення 10709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 7200 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+51.55 грн
100+40.06 грн
500+31.87 грн
1000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.62 грн
262+54.08 грн
307+46.15 грн
308+44.29 грн
500+35.86 грн
1000+30.90 грн
3000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+47.02 грн
100+35.11 грн
500+25.89 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.18 грн
6000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692Sonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 76828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692S-F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692S-F126ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 12.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692S-F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692S-F127ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692S-F127ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.38 грн
100+45.58 грн
500+33.59 грн
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V PWR33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696_F065ON Semiconductor / FairchildMOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V PWR33
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7696_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V PWR33
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.29 грн
6000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+42.76 грн
341+41.56 грн
344+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.78 грн
500+101.50 грн
1000+93.61 грн
10000+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.44 грн
10+136.45 грн
100+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.78 грн
500+101.50 грн
1000+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.48 грн
100+70.74 грн
500+53.23 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.78 грн
500+101.50 грн
1000+93.61 грн
10000+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.72 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010AFAIRCHILDFDMC8010A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+128.47 грн
500+122.58 грн
1000+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DConsemiMOSFETs TV Monitor/POE/ Network/Telcom
на замовлення 12241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 788A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
On-state resistance: 1.89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+55.10 грн
1000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+67.48 грн
100+46.64 грн
500+37.87 грн
1000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+55.10 грн
1000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DConsemi / FairchildMOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom
на замовлення 10099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.46 грн
6000+30.39 грн
9000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30ON SemiconductorFDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30onsemi / FairchildMOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+90.79 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30ON SemiconductorFDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.28 грн
25+76.09 грн
100+72.22 грн
250+65.80 грн
500+62.16 грн
1000+61.13 грн
3000+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+55.31 грн
1000+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.58 грн
203+69.80 грн
296+47.91 грн
500+36.40 грн
1000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.69 грн
229+61.81 грн
276+51.40 грн
278+49.06 грн
500+41.02 грн
1000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.19 грн
13+62.69 грн
25+61.81 грн
100+49.56 грн
250+45.43 грн
500+39.38 грн
1000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+58.12 грн
100+45.23 грн
500+35.98 грн
1000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+55.31 грн
1000+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.