Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5115T1G | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12020 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 32543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5115T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5116DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1 | MOT | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5770 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5116DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 46833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 8535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP | на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116RT1 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5116T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5116T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5116T1 | на замовлення 26600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5116T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5116T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5116T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5117T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5130DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 11568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5130DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 41950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5130DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5130T1 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5130T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5130T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5130T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 8496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8931 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5131DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5131T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131T1 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5131T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 23498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5131T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 721000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5131T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 23498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5131T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 25683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5131T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132DW1T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132DW1T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132DW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Current gain: 15...27 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 3000pcs. Base-emitter resistor: 4.7kΩ Base resistor: 4.7kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132RT1 | на замовлення 204000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5132T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5132T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5132T1 | на замовлення 3719 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 30313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | на замовлення 14735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5132T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133 | onsemi | onsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5133DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5133DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 48069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 17533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 8312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 60302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ONN | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 4.7kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 17533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133RT1 | на замовлення 1269000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5133T1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133T1 | на замовлення 19000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5133T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5133T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Quantity in set/package: 3000pcs. Current gain: 80...140 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 | на замовлення 15259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5134DW1T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5134DW1T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5134T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

