Продукція > NSB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 221000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 7819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) | на замовлення 7799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-1123 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 254 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms | на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | на замовлення 6334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4771144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T1G | на замовлення 716 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T5 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143TPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143XMXWTBG | onsemi | Digital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143XMXWTBG | onsemi | Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT) Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 450 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-963 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Digital Transistors DUAL NBRT | на замовлення 2521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9516 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA | на замовлення 7998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 58821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3 | onsemi | SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR | на замовлення 2756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 297mW Case: SOT1123 Current gain: 80...200 Mounting: SMD Quantity in set/package: 8000pcs. Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 7370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZMXWTBG | onsemi | Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT) Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 450 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 80975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZMXWTBG | onsemi | Digital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-963 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY | на замовлення 14844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-963 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA | на замовлення 536000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Bulk | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1 | onsemi | Description: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH | на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T5 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T5G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC143ZPDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDP6T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EDP6T5G | ON Semiconductor | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NSBC144EDP6T5G | onsemi | Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT | на замовлення 7965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Supplier Device Package: SOT-963 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1 | на замовлення 6905 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 15143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1G | ON | 09+ | на замовлення 16018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 Packaging: Bulk | на замовлення 7995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T5G | на замовлення 6650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN | на замовлення 6540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Bulk | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EF3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR | на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EF3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EF3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 250222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EMXWTBG | onsemi | Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT) Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 450 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EMXWTBG | onsemi | Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 450 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EMXWTBG | onsemi | Digital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Supplier Device Package: SOT-963 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Bulk | на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT | на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSBC144EPDP6T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSBC144EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 299290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NSBC144EPDP6T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 Supplier Device Package: SOT-963 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

