Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC847PNQ-7R-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC847PNQ-7R-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QAPN147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1915643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R | на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R | на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A DFN1010B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R | на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R | на замовлення 455000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A NPN/PNP BJT | на замовлення 47757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QAPNZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A DFN1010B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QAS | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN/NPN gen purpose trans | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASX | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 45V DFN1010B-6 Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010B-6 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 230mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1010B-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; DFN1010B-6,SOT1216 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.2A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 167850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC847QAS/SOT1216/DFN1010B-6 | на замовлення 7919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 350 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1010B-6 Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010B-6 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847QASZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847RA147 | NXP Semiconductors | Description: BC1NPN/PGENERAL-PURPODOUBTRANSIS Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA DFN1412 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C Power - Max: 480mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2415 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC847RAPN/SOT1268/DFN1412-6 | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA DFN1412 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C Power - Max: 480mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAPNZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1412-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C Power - Max: 480mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA DFN1412-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C Power - Max: 480mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847RAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1112 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 4501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | LMSEMI | Transistor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG BC847S LMSEMI TBC847s кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 59001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN GP AMP SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC-88 | на замовлення 76203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | SHIKUES | Transistor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG BC847S SHIKUES TBC847 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | ONS/FAI | NPN general purpose double transistor SOT363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 17202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 45V, 100mA, NPN | на замовлення 8294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 76203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC-88 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | MERRY | Transistor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG BC847S MERRY TBC847s кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S Код товару: 101805
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC847S | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT363 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Case: SOT363 Type of transistor: NPN x2 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W | на замовлення 4001 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S E6327 | INFINEON | 0351+ SOT-363 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 45V, 100mA, NPN, AEC-Q101 | на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT363 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Frequency: 100MHz Application: automotive industry Polarisation: bipolar Case: SOT363 Type of transistor: NPN x2 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W | на замовлення 2857 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847S-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847S-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SE6327 | INF | 07+; | на замовлення 43357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SE6433BTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-363, 50V, 0.1A, NPN Transistor | на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6327 | Infineon | SOT363 Транзистори | на замовлення 15 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BC847SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BC847S Series Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT363 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | на замовлення 1081 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon | Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847SH6327; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6327XTSA1 TBC847sh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BC847SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BC847S Series Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 161 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 207467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | на замовлення 260672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 471000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6359XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6433XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 340000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC847SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC847SH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

