Продукція > 5LN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5LN01C-TB-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Supplier Device Package: SC-59-3/CP3 Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01C-TB-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 460000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01C-TB-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59-3/CP3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V | на замовлення 573129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01C-TB-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Supplier Device Package: SC-59-3/CP3 Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01C-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 5LN01C-TB-E - MOSFET, N-CH, 50V, 0.1A, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 555925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01C-TB-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 113129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01C-TB-E | ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | на замовлення 7256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01C-TB-EX | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01C-TB-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01C-TB-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01M-TL-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: MCP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01M-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 5LN01M-TL-E - 5LN01M-TL-E, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: MCP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 5LN01M-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | на замовлення 3577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01M-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Supplier Device Package: MCP Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01M-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: MCP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01M-TL-H | ON Semiconductor | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 5LN01S-TL-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMCP Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01S-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 5LN01S-TL-E - 5LN01S-TL-E, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01S-TL-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01SP | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01SP-AC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01SP-AC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01SS-TL-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Packaging: Bulk Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-SSFP Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-81 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01SS-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 5LN01SS-TL-E - 5LN01SS-TL-E, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7970 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01SS-TL-E | ON Semiconductor | на замовлення 7724 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 5LN01SS-TL-E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-SSFP Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-81 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01SS-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | на замовлення 7667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN01SS-TL-E | Sanyo | Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-81 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: 3-SSFP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V | на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01SS-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-SSFP Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-81 Packaging: Bulk | на замовлення 688000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 5LN01SS-TL-H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-81 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-SSFP Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 5LN02M-TL | SANYO | SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

