Продукція > 5LN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
5LN01C-TB-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 5LN01C-TB-E - MOSFET, N-CH, 50V, 0.1A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 555925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-EON SemiconductorMOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 574961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3806
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-EXonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-HON SemiconductorMOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01C-TB-HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 5LN01M-TL-E - 5LN01M-TL-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3806
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-HON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 5LN01M-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: MCP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01M-TL-HON SemiconductorMOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01S-TL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01S-TL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3806
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 5LN01S-TL-E - 5LN01S-TL-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SPonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SPON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SPA Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SP-AConsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SP-AConsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 5LN01SS-TL-E - 5LN01SS-TL-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-EON SemiconductorMOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 7667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-EON Semiconductor
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-ESanyoDescription: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4121
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-EonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4121
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
на замовлення 688000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4121
В кошику  од. на суму  грн.
5LN01SS-TL-HonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5LN02M-TLSANYOSOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.