Продукція > BDV
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BDV-15JF-K | PATLITE (U.S.A.) | Description: PATLITE (U.S.A.) - BDV-15JF-K - VOICE ANNUNCIATOR, 24VDC, 90DB, IP54 tariffCode: 85311030 Resonanzfrequenz: - rohsCompliant: YES Schallpegel (SPL): 90dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Versorgungsspannung, V AC: - Töne: Multiple usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -10°C Stromverbrauch: - Außentiefe: 79.5mm euEccn: NLR IP- / NEMA-Schutzart: IP54 Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, V DC: 24VDC Betriebstemperatur, max.: 50°C directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV49 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV50 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV64 | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 60V 12A TO218 Packaging: Bag Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 125 W | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 60V 12A TO218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64-S | Bourns Inc. | Description: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64-S | Bourns | Darlington Transistors 60V 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64A | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64A | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV64A | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64A | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 80V 12A TO218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64A-S | Bourns | Darlington Transistors 80V 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64A-S | Bourns Inc. | Description: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64A-S | Bourns | Trans Darlington PNP 80V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64B | onsemi | Darlington Transistors 10A 100V Bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64B | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 100V 12A TO218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64B | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64B | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 10A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64B | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64B-S | Bourns Inc. | Description: TRANS PNP DARL 100V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64B-S | Bourns | Darlington Transistors 100V 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64BG | ONSEMI | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 143 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64BG Код товару: 125194 | ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-247 Uке, В: 100 V Uкб, В: 100 V Iк, А: 10 А Примітка: Дарлінгтон | у наявності 7 шт: 2 шт - РАДІОМАГ-Львів4 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||
BDV64BG | onsemi | Darlington Transistors 10A 100V Bipolar Power PNP | на замовлення 991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64BG | ONSEMI | Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64BG | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64BG | ONSEMI | Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64BG | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64BG | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64BG | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64BG | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV64C | NXP | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
BDV64C | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64C-S | Bourns Inc. | Description: TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64C-S | Bourns | Darlington Transistors 120V 12A PNP | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64C-S | Bourns | Trans Darlington PNP 120V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV64CF | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV64D | ON | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
BDV64F | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV65 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 60V 12A TO218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65 | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65-S | Bourns | Darlington Transistors 60V 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65-S | Bourns Inc. | Description: TRANS NPN DARL 60V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65A | PHI | 09+ | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
BDV65A | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 12A TO218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65A | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65A | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65A-S | Bourns Inc. | Description: TRANS NPN DARL 80V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65A-S | Bourns | Darlington Transistors 80V 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65ATU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B | onsemi | Darlington Transistors 10A 100V Bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B Код товару: 143556 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||
BDV65B | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 100V 12A TO218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B-S | Bourns Inc. | Description: TRANS NPN DARL 100V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B-S | Bourns | Trans Darlington NPN 100V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65B-S | Bourns | Darlington Transistors 100V 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65BG | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65BG | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65BG | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
BDV65BG Код товару: 185363 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||
BDV65BG | onsemi | Darlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65BG | ONSEMI | Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 12A; 125W; TO247 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power: 125W Case: TO247 Mounting: THT | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65BG | ONSEMI | Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV65BTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65C | PHI | 09+ | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
BDV65C | NXP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
BDV65C | Bourns | Darlington Transistors 125W 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65C-S | Bourns | Darlington Transistors 120V 12A NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65C-S | Bourns Inc. | Description: TRANS NPN DARL 120V 12A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 3.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65C-S | Bourns | Trans Darlington NPN 120V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV65CF | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV65F | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV65TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||
BDV66A | PHI/ON | 09+ QFP100 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
BDV66B | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BDV66B - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 16 A, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 16A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV67B | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BDV67B - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 16 A, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 16A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
BDV91 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV92 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV93 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV94 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV95 | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDV96 | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BDVDSL2 | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSL3 | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSL4 | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSL5 | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSL6 | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSL9 | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSLA | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSLB | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVDSLC | Intel | Development Boards & Kits - x86 | товар відсутній | |||||||||||||||
BDVOICENTC 946030 | Intel | CPU - Central Processing Units CRB | товар відсутній |