Продукція > BYV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYV10-100 | NXP | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-20 | на замовлення 5725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV10-20/A52R-PHI BYV10-20 | NXP | Schottky, 1A, 40V, Vf=0.55V, SOD-81 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-20A | на замовлення 23500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV10-30 | NXP | Schottky, 1A, 30V, Vf=0.55V, SOD-81 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-40 | ST Microelectronics | Schottky, 1A, 40V, Vf=0.55V, 2-Pin DO-41 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-40 | NXP | Schottky, 1A, 40V, Vf=0.55V, SOD-81 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-40 | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-40 | Philips | Schottky, 1A, 40V, Vf=0.55V, 2-Pin SOD81 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-40 | STM | Schottky, 1A, 40V, Vf=0.55V, 2-Pin DO-41 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-60 | STM | Schottky, 1A, 60V, SOD-81 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-600P127 | NXP USA Inc. | Description: ULTRAFAST RECTIFIER DIODE TO 22 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 80A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Case: SOD59; TO220AC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultrafast switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast pwr diode | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10-600PQ | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 10A 20ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10-600PQ | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 10A 20ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 5505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10-600PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10-600PQ127 | NXP USA Inc. | Description: ULTRAFAST RECTIFIER DIODE TO 22 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV1060 | ST | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV10D-600PJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10D-600PJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.3 V, 100 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 6002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10D-600PJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10D-600PJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.3 V, 100 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 6002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10D-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; 100ns; DPAK; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 100ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10D-600PJ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV10D-600P/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10D-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600P | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600P | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 4527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; 50ns; DPAK; Ufmax: 2V; Ifsm: 70A Type of diode: rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 70A Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 50ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV10ED-600P/DPAK | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10EX-600P | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast power diode | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10EX-600P,127 | NXP Semiconductors | BYV10EX-600P,127 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10EX-600P,127 | NXP Semiconductors | BYV10EX-600P,127 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10EX-600P127 | NXP USA Inc. | Description: ULTRAFAST RECTIFIER DIODE TO 22 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast power diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 75A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Case: SOD113; TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Kind of package: tube Reverse recovery time: 50ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10M-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV10M-600P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10MB-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV10MB-600P/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10MD-650PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV10MD-650P/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10MED-650PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV10MED-650P/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 7" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV10MX-600P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 4344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 100A; 35ns Type of diode: rectifying Case: SOD113; TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube Reverse recovery time: 35ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10MX-600PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10MX-600PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 2 V, 45 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10MX-600PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10X-600P | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10X-600P127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Case: SOD113; TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 88A Kind of package: tube Reverse recovery time: 50ns | на замовлення 1381 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10X-600PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10X-600PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 2 V, 40 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast Pwr Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV116-25 | на замовлення 50801 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV11625 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV1168-25 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV116B | PHI | 97+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV116B-25 | PHI | 00+ | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV116B25 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV118-04 | PHI | TO220 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV118-40 | PHILIPS | 2000 | на замовлення 1999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV118X-40 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV118X40 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV12-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV12-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV12-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV12-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV121-45 | на замовлення 1280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV12145 | PHILIHPS | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV123 | SIE | 90+ | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV13-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV13-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV13-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV13-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV133-45 Код товару: 79965
Додати до обраних
Обраний товар
| Philips | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі Корпус: TO-220AB Зворотня напруга, Vrrm: 40 V Прямий струм (per leg), If: 20 A Падіння напруги, Vf: 0,6 V | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BYV133-45 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV14-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV14-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV14-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV14-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV143-45 | на замовлення 565 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV15-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV15-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV15-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV15-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV15M-650PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV15M-650P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV15MB-650PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV15MB-650P/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV15MX-650PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV15MX-650P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV16-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV16-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV16-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 8876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV16-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | на замовлення 22308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV16-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 24750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV16-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 40 Amp IFSM | на замовлення 32325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV16-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV16-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV20M-650PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV20M-650P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV20MX-650PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV20MX-650P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV20MX-650PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV20MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.2 V, 23 ns, 275 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 275A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 23ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV21M-650PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV21M-650P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV21MB-650PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV21MB-650P/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV21MD-650PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV21MD-650P/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV21MX-650PQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV21MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.6 V, 26 ns, 198 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 198A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.6V Sperrverzögerungszeit: 26ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV21MX-650PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV21MX-650P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV222V35 | ST | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV223V | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV228 | PHILIPS | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV23-45 Код товару: 113297
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV241V200 | WL | на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV255V | ST | 50A/200V/FAST DIODE/2U | на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV255V-200 | STM | FAST 2 diodes 200V 150A ISOTOP Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV255V-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 2X100 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV255V-200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV255V-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE MODULE GP 200V 100A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: ISOTOP® Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV255V150 | ST | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV255V200 Код товару: 32452
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV255V200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV25D-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A | на замовлення 2130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | NXP USA Inc. | Description: DIODE RECT 600V 5A DPAK Packaging: Bulk | на замовлення 76500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | Nexperia | BYV25D-600/DPAK/REEL 13 Q1/T1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV25D-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.3 V, 60 ns, 66 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 66A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 5A 50ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25D-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 7958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25F-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25F-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600 Код товару: 73074
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV25FD-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV25FD-600/DPAK/REEL 13" Q1/T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | NXP | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | Nexperia | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 Код товару: 144472
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode | на замовлення 12715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 8191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FX-600 | WeEn Semiconductors | BYV25FX-600/TO-220F/STANDARD M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 4228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FX-600,127 | WeEn | DIODE STANDARD 600V 5A TO220F Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25FX-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 5A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode | на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25G-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers 600V 5A 3-Pin(3+Tab) Diode Ultra Rectifie | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25G-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25G-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25G-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25X-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV25X-600,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 600V 5A 60ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV25X-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A | на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26A | PHI | 05+ TSOP48 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A | EIC Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A /VISHAY корпус SOD57 Код товару: 33450
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26A AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 30ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A SOD64 /PH/ Код товару: 75553
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26A TR | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; reel; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 30ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A,113 | NXP | Fast 1.0A 200V 30ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A-TAP | Vishay | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26A-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26A-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 66715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26A-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26A-TAP | Vishay | Fast 1.0A 200V 30ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26A-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26B | EIC Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26B | PHILIPS | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26B AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 30ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26B TR | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; reel; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 30ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26B-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; bulk,replacement packaging; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: bulk; replacement packaging Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 30ns Leakage current: 0.1mA | на замовлення 5006 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 4506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 5006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 18541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26B-TR | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TR Код товару: 86927
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26B-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 12344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 11908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TR | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26B-TR | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C | EIC | Ultrafast 1.0A 600V 30ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C | LGE | 1A; 600V; ultra fast <30ns; packaging: ammo; BYV26C diode rectifying DP BYV26C кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C | EIC | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C | LGE | 1A; 600V; ultra fast <30ns; packaging: ammo; BYV26C diode rectifying DP BYV26C кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C Код товару: 4089
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Yangjie/LGE | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-41 Vrr, V: 600 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 30ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C LGE Код товару: 216815
Додати до обраних
Обраний товар
| LGE | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SMA/DO-214AC Vrr, V: 600 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns | у наявності 1975 шт: 975 шт - склад1000 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C TR | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 30ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C,113 | NXP | Fast 1.0A 600V 30ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP Код товару: 90562
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 600 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns | у наявності 270 шт: 270 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 9792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Yangzhou Yangjie Electronic | Ultrafast 1.0A 600V 30ns, SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 7936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26C-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 15781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 9792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 23627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 600, Io, А = 1, Uf (max), В = 2,5, If, A = 1, I, мкА @ Ur, В = 5 @ 600, trr, нс = 30, Тексп, °C = -55...+175,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-57 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 | на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Ultrafast 1.0A 600V 30ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 4874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 30ns Leakage current: 0.1mA | на замовлення 7936 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TAP VISHAY | Vishay | 1A; 600V; THT; packaging: ammo; BYV26C-TAP VISHAY DP BYV26C-TAP VISHAY кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 21827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: 10 inch reel Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 30ns Leakage current: 0.1mA Quantity in set/package: 5000pcs. | на замовлення 445 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26C-TR - AVALANCHE DIODE, 1A, 600V, SOD-57 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 25125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay | Ultrafast 1.0A 600V 30ns, SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 13171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 17601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26C-TR | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий лавинний діод вивідний, Uзвор, В = 600, Io, А = 1, Uf (max), В = 2,5, If, A = 1, I, мкА @ Ur, В = 5 @ 60, trr, нс = 30, Тексп, °C = -55...+175, Темп.опір,°C/Вт = 45,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-57 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D | EIC | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Ur, В = 800, Io, А = 1, If, A = 1, Uf (max), В = 2,5, trr, нс = 75, Тексп, °С = -55...+175,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-57 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D Код товару: 37214
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26D | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D | NXP | Fast 1A, 800V, 75ns, SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 75ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D TR | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; reel; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 75ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TAP Код товару: 129573
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26D-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; 2.5V; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Load current: 1A Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 2.5V Reverse recovery time: 75ns | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TAP | Vishay | Ultrafast 1.0A 800V 75ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TAP | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26D-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 13722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 42182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 42182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 21489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay | Ultrafast 1.0A 800V 75ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26D-TR | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 7461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 39418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-15 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/73 | Vishay | Ultrafast 1.0A 800V 75ns DO-204AC=DO-15 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3\54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,800V,75NS,SUPERT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGP-E3\73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,800V,75NS,SUPERT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26DGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E | EIC | Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E | EIC | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41 Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E | EIC | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E | EIC | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E (LGE) Код товару: 127965
Додати до обраних
Обраний товар
| LGE/Philips | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 А Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 75ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E TR | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 30A Case: DO41; DO204AL Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 10A Reverse recovery time: 75ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E Vishay Код товару: 37398
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E,113 | NXP | Fast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 0.1mA | на замовлення 1806 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 1 000, Io, А = 1, Uf (max), В = 2,5, If, A = 1, I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1000, trr, нс = 75, Тексп, °C = -55...+175,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-57 Од. вим: 3475 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 25122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 6920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | на замовлення 723 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 6920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP Код товару: 26386
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 29451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay | Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 14012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 3763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 1 000, Io, А = 1, Uf (max), В = 2,5, If, A = 1, I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1000, trr, нс = 75, Тексп, °C = -55...+175,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-57 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: 10 inch reel Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 0.1mA Quantity in set/package: 5000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 32022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 14012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26E/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYV2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP Код товару: 214214
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-204AC Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 А Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns | у наявності 180 шт: 180 шт - склад | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP | vishay | do-41 05/06+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP диод Код товару: 55917
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 7939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 10589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/73 | Vishay | 1A; 1000V; ultra fast <75ns; packaging: ammo; BYV26E diode rectifying DP BYV26E кількість в упаковці: 382 шт | на замовлення 382 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 6628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3\54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,1000V,75NS,SUPERT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3\73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,1000V,75NS,SUPERT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGP/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,1000V,75NS,UF SURPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26EGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26G | Philips | Ultrafast 1.0A 1400V 150ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV26G | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV26G-(SOD-57) BYV26G | KLS | Ultrafast 1.0A 1400V 150ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | на замовлення 2390 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV26G Код товару: 177556
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV27-050-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-050-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 55V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 55 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-050-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-050-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 55V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 55 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-050-TR | Vishay | Diode Switching 50V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-100 | EIC Semiconductor | Diode Switching 100V 2A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-100 | на замовлення 47088 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV27-100 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Case: SOD57 Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.07V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 0.15mA Max. load current: 15A | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 30552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 3048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 19741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 30574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TAP діод Код товару: 215717
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 13589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay | DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 4409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 24518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay | Diode Switching 100V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 24518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-100-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 8102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 2A; Ifsm: 50A; Ufmax: 1.1V; Ir: 1uA; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 50A Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 1µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-100-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 23603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-150 | на замовлення 31460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV27-150 | EIC Semiconductor | Diode Switching 150V 2A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | на замовлення 4857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 10972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 150 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 6603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay | SOD57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 38885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-150-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 20877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 38870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | на замовлення 17502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-150-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 150 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 10869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200 | EIC Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200 | Philips | 2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200 кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200 Код товару: 23930
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 200 V Iav, A: 2 A | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200 | EIC Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200 | NXP | Ultrafast 2A, 200V, 25 нс, SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200 -TAP | Vishay | 2A; 200V; ultra fast <25ns; packaging: ammo; BYV27-200 diode rectifying DP BYV27-200 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1275 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200,113 | NXP | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 15624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.35V Max. load current: 15A Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 15524 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-200-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 20156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP Код товару: 118564
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD-57 Vrr, V: 200 V Iav, A: 2 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 25 ns | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 32811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TAP BYV27-200 | Vishay | Ultrafast лавинопр. 2A, 200V, 25ns, SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 6579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 25ns 2-Pin SOD-57 T/R Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-200-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 7751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 22667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 200, Io, А = 2, Uf (max), В = 1,07, If, A = 3, Тексп, °C = -55...+175, Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-57 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт | на замовлення 5000 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ifsm: 50A; SOD57; Ufmax: 1.1V; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV27-200-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.07 V, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.07V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV27 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 4234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-200/A52A | NXP | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-300 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV27-400 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV27-50 Код товару: 123868
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV27-50 | EIC Semiconductor | Diode Switching 50V 2A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-50 | Vishay | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-50 | на замовлення 13305 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV27-50/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYV2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-600 | VISHAY | 09+ | на замовлення 54018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-600 Код товару: 149331
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 24545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | на замовлення 2441 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TR | Vishay | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV27-600-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-050-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-050-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 50 Volt 90 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-050-TAP | Vishay | Diode Switching 50V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-050-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 50 Volt 90 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-050-TR | Vishay | Diode Switching 50V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-050-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-100 Код товару: 41552
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-100 | A/N | на замовлення 1267 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-100 DIP | A/N | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 100, Io, А = 3,5, Uf (max), В = 1,1, If, A = 3,5, trr, нс = 30 мс, Тексп, °C = -50...+150,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-64 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 660 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 110 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 110V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Case: SOD64 Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 90A Kind of package: Ammo Pack Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Reverse recovery time: 30ns Leakage current: 0.15mA Max. load current: 25A | на замовлення 2097 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay | 100V, 3.5A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-100-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 110 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 110V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | на замовлення 4281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay | Diode Switching 100V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 100 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 9983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TAP Код товару: 205631
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-100-TR | Vishay | Diode Switching 100V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 100V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-100-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 100 Volt 90 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-100DIP | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-150 | на замовлення 24984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-150-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 150 Volt 90 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TAP | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-150-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 150 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 11057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V | на замовлення 15987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150-TR | Vishay | Diode Switching 150V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-150200 | на замовлення 98500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-200 | на замовлення 23630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200 | NXP | DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200 Код товару: 109113
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-200 | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Ur, В = 200, Io, А = 3,5, If, A = 3,5, Uf (max), В = 1,1, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+175,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-64 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200,133 | NXP | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200-RAS15-10 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Bulk Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200-RAS15-10 | Vishay Semiconductors | Rectifiers AVALANCHE DIODE SOD64 EPI-e2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP Код товару: 206002
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3.5A; Ammo Pack; Ifsm: 90A; SOD64; 30ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 90A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 25A Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 30ns | на замовлення 3064 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 200 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 16873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay | DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-200-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3.5 A, Einfach, 1.1 V, 30 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 14660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 200 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 3612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TR | Vishay | Diode Switching 200V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-200-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-200TAP | Vishay | на замовлення 500000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-300 | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-400 | на замовлення 23873 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-50 | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-50DIP | A/N | на замовлення 1750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-50GEG | NXP | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-600 | на замовлення 2562 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV28-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 210 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 600 Volt 90 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TAP Код товару: 205630
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-600-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3.5A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 210 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | Vishay | Diode Switching 600V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-600-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3.5 A, Einfach, 1.35 V, 210 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 210ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 12764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | VISHAY | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.5 Amp 600 Volt 90 Amp IFSM | на замовлення 3033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | Vishay | Diode Switching 600V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 6898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3.5A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV28-600-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3.5 A, Einfach, 1.35 V, 210 ns, 90 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 210ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV28 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 12764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28-600-TR | Vishay | Diode Switching 600V 3.5A 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 6898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28/100 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV28/200-TAP | Vishay | 3,5A; 200V; ultra fast <75ns packaging: ammo; BYV28/200 diode rectifying DP BYV28-200 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV28100 | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28200 | VISHAY | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV28600 | PHI | на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV29-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-300HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 400V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-400 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 100 A Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100 Durchlassspannung Vf max.: 1.25 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25 Sperrverzögerungszeit: 60 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400 | WeEn Semiconductors | BYV29-400/TO-220AC/STANDARD MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | Nexperia | Diode Switching 400V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | NXP | Ultrafast 9A 400V 60ns TO-220AC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-400,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 6109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 400V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RECT UFAST 400VAC | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Kind of package: tube Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Case: SOD59; TO220AC Mounting: THT Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 60ns Heatsink thickness: 1.15...1.4mm Max. forward voltage: 0.9V Load current: 9A Max. forward impulse current: 110A Max. off-state voltage: 0.4kV | на замовлення 1391 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 400V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-400,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 400V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400-E3/45 | Vishay | Diode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400-E3C/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-500 Код товару: 29783
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: TO-220 Vrr, V: 500 V Iav, A: 9 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||||
| BYV29-500 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-500 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-500 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 100 A Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassspannung Vf max.: 1.25 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 500 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 500V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | на замовлення 1816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | NXP | Ultrafast 9A 500V 60ns TO-220AC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.9V Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 60ns | на замовлення 1335 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29-500,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.25 V, 60 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 500V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | NXP/Nexperia/We-En | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 500, Io, А = 9, Uf (max), В = 1,25, If, A = 8, I, мкА @ Ur, В = 50 @ 500, trr, нс = 60, Тексп, °C = -40...+150,... Група товару: Діоди Корпус: TO-220AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 801 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | NXP Semiconductors | Diode Switching 500V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE UFAST 500V 9A TO220AC Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-500,127 Код товару: 198476
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV29-500.127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 9A; tube; Ifsm: 110A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.9V Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 60ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-600 | на замовлення 640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV29-600 | WeEn Semiconductors | BYV29-600/TO-220AC/STANDARD MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-600,127 | NXP Semiconductors | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: NOW WEEN - BYV29-600 - ULTRAFAST Packaging: Bulk | на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-600,127 | NXP | Ultrafast 9A 600V 60ns TO-220AC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 9A | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29-600,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE 600 TO-220AC SOD59 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-600P | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Ultrafast power diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29300 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV29B-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300V 110A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300V 110A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400-E3/81 | Vishay | 400V 8A TO-263AB Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 110A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 110A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-500 | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-500 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29B-500,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.4 V, 60 ns, 110 A Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassspannung Vf max.: 1.4 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 110 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 500 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 500V 9A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | на замовлення 4583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers TAPE13 PWRDIODE | на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29B-500,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.4 V, 60 ns, 110 A Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassspannung Vf max.: 1.4 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 9 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 110 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 500 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-500,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 500V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29B-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29B-600PJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29D-600PJ/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 7534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29D-600PJ | WeEn | DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29D-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 3269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29F-300 | EIC Semiconductor | Diode Switching 300V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-300-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-300HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-300HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300V 110A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-300HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-400 | на замовлення 961 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV29F-400 | EIC Semiconductor | Diode Switching 400V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-400HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 110A AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-400HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-500 | PHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29F-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29F-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 9 A Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29F-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29F500 | PHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV29FB-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers PWR 600 V 9 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FB-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600 | WeEn | DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | на замовлення 2975 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV29FD-600/DPAK/REEL 13" Q1/T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FD-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 5136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE | на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 9167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600,118 | NXP | DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FD-600,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FD-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 5136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FX-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FX-600 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV29FX-600/TO-220F/STANDARD M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FX-600,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FX-600,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV29 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers DIODE RECT UFAST 600V | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29FX-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29G-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers 600V 9A Diode Fast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29G-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29G-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29G-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29G-600PQ/TO262-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29MFX-600PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV29MFX-600P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X | PHI | 06+ | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-500 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-500,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29X-500,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 9 A, Einfach, 1.4 V, 60 ns, 110 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.4V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 500V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 5829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-500,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE UFAST 500V 9A TO220F Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-500,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 500V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-600 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV29X-600 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 5852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-600,127 | NXP Semiconductors | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-600,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29X-600,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.26 V, 59 ns, 91 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 91A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.26V Sperrverzögerungszeit: 59ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | на замовлення 4968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-600AQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29X-600A/TO-220F/STANDARD M | на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-600AQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active | на замовлення 10932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 5434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV29X-600PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV29X-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV29X-600PQ/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30-500 | PHILIPS | 05+ DIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30-600PQ/TO-220AC/STANDARD M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30100 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV30150 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV30200 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV30300 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV30400 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV30500 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV30B-600P | WeEn Semiconductors | BYV30B-600PJ/TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30B-600PJ/TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30B-600PJ | WeEn | DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | на замовлення 496 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV30JT-600PMQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30JT-600PM/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30JT-600PMQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-3PF Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-3P Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30M-650PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30M-650P/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30MB-650PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30MB-650P/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30MW-650PT2Q | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30MW-650PT2/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30MX-650PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30MX-650P/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30W-600PQ/SOD142/STANDARD M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30W-600PT2Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV30W-600PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach, 1.55 V, 65 ns, 330 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 330A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 65ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV30W-600PT2/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30W-600PT2Q | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 30A 75ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV30X-600PQ/TO-220F/STANDARD M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32 | onsemi | REC T0220 16A 200V ULTFST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-100 | PHILIPS | 1993 | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 18 Amp 100 Volt | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-100-E3\45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,100V,25NS,DUAL UF RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-100HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-150 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32-150-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18 Amp 150 Volt | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-150-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-150-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 18 Amp 150 Volt | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-150-E3\45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,150V,25NS,DUAL UF RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-150/45 | VISHAY | 2005 | на замовлення 2982 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-150801HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-150HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200 | PHILIPS | 1996 | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200 | onsemi | Rectifiers 200V 16A UltraFast | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200 Код товару: 79982
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: TO-220 Uзвор., V: 200 V Iвипр., A: 18 A Опис: Dual Ultrafast Rectifiers | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,200V,25NS,DUAL UF RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200 | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200-45 | VISHAY | 05+06+ | на замовлення 200100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,200V,25NS,DUAL UF RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 Код товару: 129040
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; tube; Ifsm: 150A; TO220AB; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 18A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Reverse recovery time: 25ns Heatsink thickness: 1.14...1.39mm | на замовлення 1387 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 18 Amp 200 Volt | на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3/45 BYV32-200 | Vishay | TO-220 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200-E3\45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,200V,25NS,DUAL UF RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200AM | Semelab / TT Electronics | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200AM | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 0.6mA | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | onsemi | Rectifiers 200V 16A UltraFast | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32-200G | On Semiconductor | TO-220AB Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200M | Semelab / TT Electronics | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200M | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200M-QR-B | Semelab (TT electronics) | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI-REL APPLICATIONS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200M-QR-B | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200M.R | TT Electronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200SMD-O-B | Semelab (TT electronics) | BYV32-200SMD-O-B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-200SMD-O-B | TT Electronics - IoT Solutions | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-50 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 18A,50V,25NS,DUAL UF RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-50-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-50-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 18A 25ns Dual Common Cathode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-50-E3\45 | Vishay | Rectifiers 18A,50V,25NS,DUAL UF RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32-50HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV329-1200 | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV32E | на замовлення 3953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV32E-100 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV32E-100/SIL3P/STANDARD MARK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE Packaging: Bulk | на замовлення 12616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 100V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARRAY 100V 20A TO220AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 Код товару: 117745
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Heatsink thickness: 1.25...1.4mm | на замовлення 586 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-150 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 150V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Heatsink thickness: 1.25...1.4mm | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200 Код товару: 22237
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32E-200 | WeEn Semiconductors | BYV32E-200/SIL3P/STANDARD MARK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200 | NXP | TO220 10+ | на замовлення 62000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 5550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | NXP | DIODE ARRAY 200V 20A TO220AB Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32E-200,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns, 137 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 137A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32E productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 7021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 Код товару: 149914
1
Додати до обраних
Обраний товар
| WeEn | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: TO-220AB Vrr, V: 200 V Iav, A: 20 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns THT | у наявності 76 шт: 45 шт - склад17 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers FAST DUAL 20A 200V | на замовлення 4385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.72V Max. load current: 20A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 2758 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Dual Ultrafast Power Diode | на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E-200PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 125A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Reverse recovery time: 18ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO-220E Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV32E-300P/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 220A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Heatsink thickness: 1.25...1.4mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32E-300PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Dual Ultrafast Power Diode | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32E200 | NXP | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32EB-200 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200 Код товару: 121939
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32EB-200 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV32EB-200 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV32EB-200/D2PAK/REEL 13" Q1/ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-404 Durchlassstoßstrom: 137A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 Код товару: 181586
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | NXP | SOT404 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | на замовлення 4072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers TAPE-7 REC-EPI | на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-404 Durchlassstoßstrom: 137A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 137A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 0.72V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 327 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARRAY 200V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200P | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYV32EB-200PJ/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200PJ | Nexperia | BYV32EB-200PJ/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 125A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 125A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200PJ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV32EB-200PJ/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-200PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV32EB-300P/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 300V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-300PJ | Nexperia | Rectifier Diode Switching 300V 20A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EB-300PJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 300V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 220A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 220A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V | на замовлення 8765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 300V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 220A; Ufmax: 1.25V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32EX-300PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Ultrafast Power Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32F-200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV32G-200,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers DUAL ULTRAFAST PWR DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV32G-200,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400 | PHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV34-400 | WeEn Semiconductors | BYV34-400/SIL3P/STANDARD MARKI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400 Код товару: 33845
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV34-400 | NXP Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RECT DL UF 400V | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 400V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-400,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV34-400,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 V, 60 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV34 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 400V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 400V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-400,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 400V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400,127 | NXP | Сдвоенный Ultrafast 2*10A, 400V, 60NS, SOT-78 (TO-220AB) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400M | Semelab / TT Electronics | Rectifiers TRANS DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400M | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 400V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400RM | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400RM | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 400V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400TM | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-400TM | Semelab (TT electronics) | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI-REL APPLICATIONS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500 | NXP | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 500V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | NXP | Сдвоенный Ultrafast 2*10A, 500V, 60NS, SOT-78 (TO-220AB) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | Nexperia | BYV34-500/SIL3P/STANDARD MARKI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 500V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV34-500,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 V, 60 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV34 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 500V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 4695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 500V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 500 V | на замовлення 4412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-500,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | на замовлення 6382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34-500M | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500M | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500P1 | Semelab / TT Electronics | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500P1 | Semelab (TT electronics) | Diode Switching 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500RM | Semelab / TT Electronics | Rectifiers TRANS DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500RM | Semelab (TT electronics) | 1.5 AMP POSITIVE ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500RM-QR-B | Welwyn Components / TT Electronics | Rectifiers DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-500RM-QR-B | Semelab (TT electronics) | DIODE - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-600 | WeEn Semiconductors | BYV34-600/SIL3P/STANDARD MARKI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-600 | NXP Semiconductors | Rectifiers HV EPITAXIAL RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-600,127 | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-600,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 600V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34G-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: I2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34G-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34G-600,127 | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34G-600127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A I2PAK Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: I2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 2841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34X-600 | NXP Semiconductors | Rectifiers HV EPITAXIAL RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34X-600 | WeEn Semiconductors | BYV34X-600/TO-220F/STANDARD MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34X-600 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34X-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34X-600,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV34X-600,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.36 V, 60 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.36V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34X-600,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 20A | на замовлення 6613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV34X-600,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 600V 20A 60ns 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV34X-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV36A | EIC | Rectifier Diode Switching 200V 1.6A 100ns 2-Pin DO-15 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV36A | на замовлення 9434 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV36B | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV36B | EIC | Rectifier Diode Switching 400V 1.6A 100ns 2-Pin DO-15 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV36C | EIC Semiconductor | Diode Switching 600V 1.6A 2-Pin DO-15 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV36C | на замовлення 13773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV36D | EIC | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 150ns 2-Pin DO-15 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV36D | на замовлення 1336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV36E | PHILIPS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV36E | EIC | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 150ns 2-Pin DO-15 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV37-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV37-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV37-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV37-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP Код товару: 188006
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 12651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 3879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 22428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 7929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 22447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYV38-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1.1 V, 300 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYV38 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 27834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 3381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 4782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV38-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 7361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV39-45 | на замовлення 653 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BYV40 | 07+ SOT223 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV40E-150 | NXP | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV40E-150,115 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV40E-150,115 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 150V 1.5A SC-73 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1.5A Supplier Device Package: SC-73 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV40E-200 | NXP | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV40W-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV40W-600PQ/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV40W-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 79 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 132A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Case: SOT78; TO220AB Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 132A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 35ns Heatsink thickness: 1.25...1.4mm Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV410-600,127 | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes DIODE RECT UFAST DL 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 8420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV410-600,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV410-600PQ | WeEn Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV410-600P/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO-220E Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410X-600,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Case: SOD113; TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 137A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 20ns Max. load current: 20A | на замовлення 953 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV410X-600,127 | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes DIODE RECT UFAST DL 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410X-600,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 4001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV410X-600/L01Q | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 132A; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Case: SOD113; TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 132A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 35ns Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410X-600/L01Q | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV410X-600/L01/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410X-600/L01Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO-220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410X-600127 | NXP USA Inc. | Description: NOW WEEN - BYV410X-600 - ULTRAFA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410X-600PQ | WeEn Semiconductors | Small Signal Switching Diodes BYV410X-600P/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV410X-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 7027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV410X-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Case: SOD113; TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 35ns Max. load current: 20A | на замовлення 552 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV415J-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAYTO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV415J-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers BYV415J-600PQ/TO3PF/STANDARD M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV415K-600P | WeEn Semiconductors | Rectifiers Dual ultrafast power diode | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV415K-600PQ | WeEn | DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3P Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV415K-600PQ | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15Ax2; tube; Ifsm: 140A; SOT1259,TO3P Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 140A Case: SOT1259; TO3P Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV415K-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Dual ultrafast power diode | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV415K-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TO-3P Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV415K-600PQ127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV415W-600P | WeEn Semiconductors | Rectifiers Dual ultrafast power diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV415W-600P127 | NXP USA Inc. | Description: ULTRAFAST RECTIFIER DIODE TO 24 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV415W-600PQ | WeEn Semiconductors | Rectifiers Dual ultrafast power diode | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV415W-600PQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42-100 | PHI | 96+ TO-220 | на замовлення 1005 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-100 | ---- | SOT78 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-150 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-150 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.78V Max. load current: 30A Reverse recovery time: 28ns Heatsink thickness: max. 1.3mm | на замовлення 871 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 150V 30A 28ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 8522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-EPI | на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY GP 150V 30A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V | на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 150V 30A 28ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn | TO-220, 150V, 30A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 150V 30A 28ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 150V 30A 28ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 7550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | NXP | TO-220, 150V, 30A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 Код товару: 218554
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE ARRAY 150V 30A TO220AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BYV42E-200 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV42E-200 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.05 V, 28 ns Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05 Sperrverzögerungszeit: 28 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV42 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BYV42E-200 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RECT DL UF 200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |