Продукція > DGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DGT-2DPWiremoldWire Ducting & Raceways PLATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGT-BWiremoldWire Ducting & Raceways PLATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGT-DP/BWiremoldWire Ducting & Raceways PLATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD120T25S1PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD120T25S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 73ns/269ns
Switching Energy: 1.44mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 204 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.69 грн
10+447.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD120T25S1PTDiodes IncorporatedIGBTs IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.54 грн
10+416.06 грн
100+348.99 грн
450+319.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD120T40S1PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD120T40S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/308ns
Switching Energy: 1.96mJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 341 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD120T40S1PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.86 грн
10+769.53 грн
25+637.94 грн
100+553.90 грн
450+481.86 грн
900+425.03 грн
2700+420.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
на замовлення 22995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+91.32 грн
153+83.03 грн
173+73.30 грн
500+59.12 грн
1000+53.98 грн
3000+51.27 грн
5000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes IncorporatedDescription: IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: ITO-220AB
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/128ns
Switching Energy: 270µJ (on), 86µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 61 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 48 W
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.34 грн
10+94.38 грн
25+85.85 грн
100+71.77 грн
250+67.56 грн
500+65.04 грн
1000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDIODES INCORPORATEDDGTD65T15H2TF THT IGBT transistors
на замовлення 489 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+290.92 грн
14+91.05 грн
36+86.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDIODES INC.Description: DIODES INC. - DGTD65T15H2TF - IGBT, 30 A, 1.65 V, 48 W, 650 V, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: ITO-220AB
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.65 грн
10+102.36 грн
100+85.57 грн
500+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+105.27 грн
10+95.72 грн
100+84.50 грн
500+68.15 грн
1000+62.23 грн
3000+59.11 грн
5000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes IncorporatedIGBTs IGBT 600V-X
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.88 грн
10+94.81 грн
100+68.76 грн
500+66.20 грн
1000+63.55 грн
2000+61.47 грн
5000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TF
Код товару: 188218
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T15H2TFDiodes ZetexTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T40S1PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T40S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T40S2PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T40S2PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T40S2PTDiodes Inc650V Field Stop Igbt in To247 Type Mc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T50S1PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 58ns/328ns
Switching Energy: 770µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 287 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T50S1PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.58 грн
10+518.24 грн
25+426.63 грн
100+369.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T50S1PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T60S2PTDiodes IncTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T60S2PTDiodes IncorporatedDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/142ns
Switching Energy: 920µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 428 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTD65T60S2PTDiodes IncorporatedIGBT Transistors IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTLP6C816
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DGTZ-GF-20-90-P-AFesto CorporationDescription: TWIN CYLINDER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGTZ-GF-32-40-P-AFesto CorporationDescription: TWIN CYLINDER
Packaging: Bulk
Features: ISO Standardized
Operating Pressure: 14.5 ~ 116 PSI (1 ~ 8 bar)
Type: Linear Actuator
Operating Temperature: -10°C ~ 80°C
Stroke Length: 1.575" (40.00mm)
Connection Method: G1/8
Operation: Double Acting
Construction: Guided Cylinder
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.