НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI4DBXDescription: DBX - DI4 - DI-Box DI4 aktiv 4 Kanäle mit Line-Mischer
tariffCode: 85184000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: UK
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12704.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI4008ADI
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI402SIAIXYS09+ SOP8
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI409SIIXYS09+
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A5C06SQDiotec SemiconductorDescription: DI4A5C06SQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 760pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A5C06SQDIOTEC SEMICONDUCTORDI4A5C06SQ-DIO Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2Diotec SemiconductorSMD MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.94 грн
10+48.30 грн
100+33.41 грн
500+26.20 грн
1000+22.29 грн
2000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2DIOTEC SEMICONDUCTORDI4A7P06SQ2-DIO Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.84 грн
10+58.69 грн
100+33.67 грн
500+30.99 грн
1000+30.30 грн
2000+26.93 грн
4000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.