НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI514PIIXYS09+
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI514SIAIXYS09+
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI5315-02FDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5÷9V; 3A; 60W; DFN1006-3,SOT883; Ch: 2
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.5...9V
Max. forward impulse current: 3A
Peak pulse power dissipation: 60W
Features of semiconductor devices: ESD protection
товар відсутній
DI5315-02FDiotec SemiconductorDescription: TVS DIODE 5VWM 21VC DFN1006-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DI5315-02FDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5÷9V; 3A; 60W; DFN1006-3,SOT883; Ch: 2
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.5...9V
Max. forward impulse current: 3A
Peak pulse power dissipation: 60W
Features of semiconductor devices: ESD protection
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DI5A7N65D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI5A7N65D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DI5A7N65D1KDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
товар відсутній
DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
товар відсутній
DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
товар відсутній
DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.44 грн
10+ 215.83 грн
100+ 112.21 грн
500+ 110.9 грн
1000+ 107.62 грн
2500+ 95.15 грн
5000+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI5M3x18VOGTCategory: Metal Spacers
Description: Screwed spacer sleeve; 18mm; Int.thread: M3; hexagonal; brass
Type of spacer: screwed spacer sleeve
Spacer length: 18mm
Internal thread: M3
Sleeve shape: hexagonal
Material: brass
Plating material: nickel
Spanner size: 5mm
Thread length: 9mm
Mechanical elements features: with internal threaded hole on both ends
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.08 грн
50+ 17.29 грн
80+ 9.98 грн
220+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
DI5M3x18VOGTCategory: Metal Spacers
Description: Screwed spacer sleeve; 18mm; Int.thread: M3; hexagonal; brass
Type of spacer: screwed spacer sleeve
Spacer length: 18mm
Internal thread: M3
Sleeve shape: hexagonal
Material: brass
Plating material: nickel
Spanner size: 5mm
Thread length: 9mm
Mechanical elements features: with internal threaded hole on both ends
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 999 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.5 грн
50+ 21.55 грн
80+ 11.98 грн
220+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 10