Продукція > DI5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI514PIIXYS09+
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI514SIAIXYS09+
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI5315-02FDiotec SemiconductorDescription: TVS DIODE 5VWM 21VC DFN1006-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DI5315-02FDiotec SemiconductorESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD Diode, DFN1006-3, 150C, 60W, Unidir
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.28 грн
17+21.91 грн
100+13.29 грн
500+11.69 грн
1000+10.89 грн
2500+8.08 грн
10000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A0N60D1-AQDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1KDiotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1KDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1KDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.04 грн
10+126.11 грн
100+74.36 грн
500+61.39 грн
2500+49.07 грн
10000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.16 грн
10+115.56 грн
100+79.07 грн
500+59.56 грн
1000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI5M3x18VOGTTFF-M3/18 Metal Spacers
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+34.48 грн
77+15.61 грн
211+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.