НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMJ2088-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band X Bridge Quad
товар відсутній
DMJ2092-000Skyworks Solutions Inc.Description: SCHOTTKY BEAMLEAD SERIES PAIR
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товар відсутній
DMJ2092-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Bands S and C Series Pair
товар відсутній
DMJ2093-000Skyworks Solutions Inc.Description: SCHOTTKY BEAMLEAD SERIES PAIR
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товар відсутній
DMJ2093-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band X Series Pair
товар відсутній
DMJ2208-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Bands S and C Common Cathode
товар відсутній
DMJ2209-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band X Common Cathode
товар відсутній
DMJ2210-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band Ku Common Cathode
товар відсутній
DMJ2246-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band Ku Anti Parallel
товар відсутній
DMJ2303-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Bands S and C Anti Parallel
товар відсутній
DMJ2304-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band X Anti Parallel
товар відсутній
DMJ2312-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Bands S and C Bridge Quad
товар відсутній
DMJ2455-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Ring Quad
товар відсутній
DMJ2502-000Skyworks Solutions Inc.Description: SCHOTTKY BEAMLEAD RING QUAD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товар відсутній
DMJ2502-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Bands S and C Ring Quad
товар відсутній
DMJ2667-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band Ku Ring Quad
товар відсутній
DMJ2768-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band Ku Bridge Quad
товар відсутній
DMJ2777-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band X Single
товар відсутній
DMJ2823-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Bands S and C Single
товар відсутній
DMJ2823-000Skyworks Solutions Inc.Description: SCHOTTKY BEAMLEAD SINGLE
Packaging: Tray
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товар відсутній
DMJ2824-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band Ku Single
товар відсутній
DMJ2825-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Single
товар відсутній
DMJ2832-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band Ku Series Pair
товар відсутній
DMJ2833-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Series Pair
товар відсутній
DMJ2833-000Skyworks Solutions Inc.Description: RF DIODE SCHOTTKY 75MW 504-012
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMJ2836-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Bands K and Ka Common Cathode
товар відсутній
DMJ2839-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Bands K and Ka Anti Parallel
товар відсутній
DMJ2852-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Bridge Quad
товар відсутній
DMJ2990-000Skyworks Solutions, Inc.PIN Diodes Band X Ring Quad
товар відсутній
DMJ3928-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band S Ring Quad
товар відсутній
DMJ3931-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band S Bridge Quad
товар відсутній
DMJ3934-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band S Series Pair
товар відсутній
DMJ3937-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band S Ring Series Pair
товар відсутній
DMJ3940-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Bands S-X Octoquad
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+121.73 грн
100+ 112.44 грн
250+ 91.87 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 68.25 грн
2500+ 66.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMJ3944-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band X Ring Quad
товар відсутній
DMJ3944-000Skyworks Solutions Inc.Description: SILICON SCHOTTKY BEAMLESS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Diode Type: Schottky - Ring
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Supplier Device Package: Die
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товар відсутній
DMJ3944-000Skyworks SolutionsDiode RF Mixer Schottky 75mW 4-Pin
товар відсутній
DMJ3947-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers Band S Bk to Bk Crssvr Quad
товар відсутній
DMJ4103-000Skyworks Solutions, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers X-BAND,BRIDGEQUAD Vr 1.5/3V -65C +150C
товар відсутній
DMJ4103-000Skyworks Solutions Inc.Description: X-BAND,RINGQUAD,N-TYPE,HIGH DR
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Diode Type: Schottky - Ring
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Supplier Device Package: Die
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товар відсутній
DMJ65H190SCTIDiodes Inc. / PericomMOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220AB TUBE 50PCS
товар відсутній
DMJ65H650SCTIDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 100 V
товар відсутній
DMJ65H650SCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
товар відсутній
DMJ70H1D0SV3Diodes Inc. / PericomMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMJ70H1D3SH3Diodes Inc. / PericomMOSFET 700V N-Ch Enh FET 1.3Ohm 10Vgs 4.6A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMJ70H1D3SH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMJ70H1D3SI3Diodes Inc. / PericomMOSFET 700V N-Ch Enh FET 1.3Ohm 10Vgs 4.6A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMJ70H1D3SI3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMJ70H1D3SJ3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH TO251
товар відсутній
DMJ70H1D3SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.06 грн
10+ 55.54 грн
75+ 37.54 грн
525+ 31.83 грн
1050+ 25.85 грн
2550+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMJ70H1D3SK3-13DIODES INCORPORATEDDMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMJ70H1D3SK3-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 651V800V TO252 T&R 2.5K
товар відсутній
DMJ70H1D4SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TUBE 75PCS
товар відсутній
DMJ70H1D4SV3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
товар відсутній
DMJ70H1D4SV3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
товар відсутній
DMJ70H1D5SV3Diodes Inc. / PericomMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMJ70H600HCTIDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 651V~800V ITO-220A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB (Type TH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товар відсутній
DMJ70H600SH3Diodes Inc. / PericomMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
товар відсутній
DMJ70H600SH3DIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7A; Idm: 11A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMJ70H600SH3DIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7A; Idm: 11A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMJ70H601SK3Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMJ70H601SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
товар відсутній
DMJ70H601SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
товар відсутній
DMJ70H601SV3Diodes Inc. / PericomMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMJ70H900HJ3Diodes IncTrans MOSFET N-CH 700V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
DMJ70H900HJ3Diodes Inc. / PericomMOSFET MOSFET BVDSS 651V-800V
товар відсутній
DMJ7N70SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 50 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.8 грн
10+ 79.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMJ7N70SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMJ7N70SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET Transistor PNP 30Vceo
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMJ7N70SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 50 V
товар відсутній
DMJAGU01BASSERD.MDF.JAGUAR01 MDF Mounting Accessories
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+694.33 грн
2+ 559.43 грн
8+ 514.31 грн
10+ 482.98 грн
DMJBRN0850CPSamsung
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMJEEP01BASSERD.MDF.JEEP01 MDF Mounting Accessories
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+428.43 грн
3+ 345.33 грн
10+ 298.14 грн
DMJT9435-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 30V 3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
12+ 23.58 грн
100+ 16.41 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 9.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMJT9435-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
товар відсутній
DMJT9435-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMJT9435-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 30V 3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.67 грн
5000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMJT9435-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT LOW VSAT PNP SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.31 грн
12+ 26.56 грн
100+ 16.08 грн
500+ 12.53 грн
1000+ 10.17 грн
2500+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10