Продукція > FJV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJV1845 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/180V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV1845EMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845EMTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 10981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | на замовлення 72777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845PMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845PMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845PMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | на замовлення 17546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV1845PMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV1845UMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 4.7K | на замовлення 17635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV3101RMTF - FJV3101RMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF | FAIRCHILD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3101RMTF_Q | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 4.7K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | FAI | 04+ | на замовлення 50816 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/10K 10K | на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | FAIRCHILD | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV3102RMTF - FJV3102RMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 35778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3102RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3103RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: 0.1A, 50V, NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 343752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3103RMTF | FAIRCHILD | на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FJV3103RMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV3103RMTF - FJV3103RMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 244400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3103RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3103RMTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/22K 22K | на замовлення 4346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3104RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/47K 47K | на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3104RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 1309179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3104RMTF | FAI | 4 TO23 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3105RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 2808449294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3105RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 10K | на замовлення 21013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3105RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3105RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3105RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 2808449294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3106RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3107RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3108RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3109RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3110RMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV3110RMTF - FJV3110RMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3110RMTF | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3110RMTF | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3110RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/40V/100mA/10K | на замовлення 13187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3110RMTF-ON | ON Semiconductor | Description: 0.1A, 40V, NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3111RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3112RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3113RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3113RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/2.2K 47K | на замовлення 16736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3113RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3113RMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV3113RMTF - TRANSISTOR, RF, NPN, 50V, 0.1A, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3113RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3113RMTF-ON | onsemi | Description: 0.1A, 50V, NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3114RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3114RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 8369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3114RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 47K | на замовлення 20987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3114RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 8369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3115RMTF | FAIRCHILD | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 284875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3115RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3115RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/2.2K 10K | на замовлення 26385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV3115RMTF | FAIRCHILD | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 68100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV3115RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4101RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: 0.1A, 50V, PNP | на замовлення 113384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV4101RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4102RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/10K 10K | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4102RMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV4102RMTF - FJV4102RMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 405000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV4102RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4102RMTF | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV4102RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: 0.1A, 50V, PNP | на замовлення 10428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV4103RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4104RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4104RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | на замовлення 10528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4104RMTF | FAIRCHILD | на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FJV4104RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/47K 47K | на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4104RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | на замовлення 10528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4104RMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV4104RMTF - FJV4104RMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV4105RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4106RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4107RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4108RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4109RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4110RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 40V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV4111RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4112RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 40V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4113RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4113RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50/100mA/2.2K 47K | на замовлення 17810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4113RMTF | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4114RMTF | Fairchild Semiconductor | Description: 0.1A, 50V, PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV4114RMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50/100mA/4.7K 47K | на замовлення 49550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 16734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 31818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage Transistor | на замовлення 317836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV42MTF | FUJITSU | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FJV92MTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP 350V/0.5A TRANSISTOR | на замовлення 7097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV92MTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV92MTF - FJV92 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV92MTF | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV992 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA | на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 92907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | ONSEMI | FJV992FMTF PNP SMD transistors | на замовлення 2877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992FMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJV992FMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | FAIRCHILD | FJV992PMTF | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 20500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA | на замовлення 26628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |