Продукція > G7K
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G7K-412S DC125 | Omron Automation and Safety | Description: LATCHING RELAY 125VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K-422S-T03 DC125 | Omron Automation and Safety | Description: LATCHING RELAY DC125 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K-422S-T03DC125 | Omron Automation and Safety | Omron | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K2N20HE | Goford Semiconductor | Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20HE | Goford Semiconductor | Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K2N20LLE | Goford Semiconductor | Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V | на замовлення 2733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20LLE | Goford Semiconductor | Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K9179 | на замовлення 5949 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |