Продукція > G7K
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G7K-412S DC125 | Omron Automation and Safety | Description: LATCHING RELAY 125VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K-422S-T03 DC125 | Omron Automation and Safety | Description: LATCHING RELAY DC125 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K-422S-T03DC125 | Omron Automation and Safety | Omron | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K2N20HE | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-223 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20HE | GOFORD Semiconductor | N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20HE | Goford Semiconductor | Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20HE | GOFORD Semiconductor | N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20HE | GOFORD SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 10.8nC Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K2N20HE | Goford Semiconductor | Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K2N20HE | GOFORD Semiconductor | N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20LLE | GOFORD Semiconductor | N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-23-6L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20LLE | Goford Semiconductor | Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-6L Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G7K2N20LLE | GOFORD SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT23-6; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K2N20LLE | Goford Semiconductor | Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G7K9179 | на замовлення 5949 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |