Продукція > GD9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD9-15-NFLairdAntennas Grid,Wire,240-30in,N F
товар відсутній
GD9-15-NFLaird Technologies IASDescription: RF ANT 900MHZ GRID CAB BRKT 30"
товар відсутній
GD9-18Laird Technologies IASDescription: ANT GRID 18DBI 900MHZ 10" N FEM
товар відсутній
GD9-18LairdAntennas Grid,Wire,300-18in,N F
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GD9-DC15-NFLaird Technologies IASDescription: RF ANT 900MHZ GRID CAB BRKT 30"
товар відсутній
GD900InterlightDescription: Replacement for Lg GD900 Replace
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
GD900 CRYSTALInterlightDescription: Replacement for Lg GD900 Crystal
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
GD900 Теплопроводящая паста 1г (шприц)
Код товару: 168552		Хімія > Теплопровідні матеріали
товар відсутній
GD900; Теплопроводящая паста; 1г (шприц); Теплопроводность: 4.8W; -50…+240°С; Thermal Grease
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
16+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
GD900HFY120P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Collector current: 900A
Case: P1.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 9 шт
товар відсутній
GD900HFY120P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Collector current: 900A
Case: P1.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
GD900HFY120P1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
GD9FS1G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 30 ns
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній
GD9FS1G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товар відсутній
GD9FS1G8F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 1GBIT 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Part Status: Active
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній
GD9FS1G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товар відсутній
GD9FS1G8F2AMGIGIGADEVICECategory: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 45ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NAND Flash
Memory: 1Gb FLASH
Memory organisation: 128Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.7...1.95V
кількість в упаковці: 288 шт
товар відсутній
GD9FS1G8F2AMGIGIGADEVICECategory: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 45ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NAND Flash
Memory: 1Gb FLASH
Memory organisation: 128Mx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.7...1.95V
товар відсутній
GD9FS1G8F2DMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS1G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS1G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD9FS1G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS2G6F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS2G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS2G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD9FS2G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS2G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS2G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD9FS2G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS4G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD9FS4G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS4G8F2ALGJGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS4G8F2ALGJGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD9FS4G8F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 512M x 8
товар відсутній
GD9FS4G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS4G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD9FS4G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS4G8F3AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 512M x 8
товар відсутній
GD9FS4G8F4DMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS8G8E2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 1G x 8
товар відсутній
GD9FS8G8E2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS8G8E3AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 22 ns
Memory Organization: 1G x 8
товар відсутній
GD9FS8G8E3AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FS8G8E4DMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU1G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /3.3v /FBGA-63 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
товар відсутній
GD9FU1G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній
GD9FU1G8F2AMGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: SLC NAND FLASH
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD9FU1G8F2AMGIGIGADEVICECategory: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 25ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NAND Flash
Memory: 1Gb FLASH
Memory organisation: 128Mx8bit
Access time: 25ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 288 шт
товар відсутній
GD9FU1G8F2AMGIGIGADEVICECategory: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 25ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NAND Flash
Memory: 1Gb FLASH
Memory organisation: 128Mx8bit
Access time: 25ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
GD9FU1G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /3.3v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.89 грн
10+ 211.62 грн
100+ 183.36 грн
250+ 176.78 грн
500+ 171.53 грн
960+ 166.93 грн
2880+ 158.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD9FU1G8F2DMGIGigaDeviceNAND Flash
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.98 грн
10+ 215.39 грн
100+ 162.98 грн
250+ 162.33 грн
500+ 156.41 грн
960+ 148.53 грн
2880+ 141.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD9FU1G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD9FU1G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU1G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU2G6F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU2G6F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 128M x 16
товар відсутній
GD9FU2G6F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU2G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU2G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: ONFI
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD9FU2G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU2G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 256M x 8
товар відсутній
GD9FU2G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU2G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU4G8F2ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD9FU4G8F2ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU4G8F2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU4G8F3ALGIGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: LINEAR IC
Packaging: Tray
товар відсутній
GD9FU4G8F3ALGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU4G8F3AMG2GigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU4G8F3AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU4G8F3AMGJGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU4G8F4DMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU8G8E2AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU8G8E3AMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній
GD9FU8G8E4DMGIGigaDeviceNAND Flash
товар відсутній