НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGK048B041SXTSA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SG-UFWLB-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.62 грн
10+62.84 грн
25+56.90 грн
100+47.32 грн
250+44.41 грн
500+42.66 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGK048B041SXTSA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SG-UFWLB-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGK120B041SXTSA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SG-UFWLB-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 20 V
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.45 грн
11+28.84 грн
25+25.86 грн
100+21.19 грн
250+19.72 грн
500+18.84 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGK120B041SXTSA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SG-UFWLB-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGK120B041SXTSA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.02 грн
10+59.23 грн
100+33.89 грн
500+26.63 грн
1000+22.78 грн
2500+20.62 грн
5000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGK3012-BPKG/M/6M/ZH
Код товару: 170739
Додати до обраних Обраний товар
Активні компоненти > Датчики
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.