Продукція > ISG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISG-200-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG-200-WG-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA, w/ Gnd Wire
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.77 грн
10+219.11 грн
100+136.69 грн
500+118.05 грн
1000+113.91 грн
3000+107.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.65 грн
10+197.51 грн
100+139.75 грн
500+113.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.01 грн
10+236.58 грн
100+146.35 грн
500+129.78 грн
3000+122.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.27 грн
10+219.35 грн
100+156.11 грн
500+130.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.90 грн
10+236.48 грн
100+169.02 грн
500+143.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+386.59 грн
50+272.22 грн
100+211.82 грн
500+163.78 грн
1500+145.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG1411IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG2B422FP-08
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG4100IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG4A442FJ-7A1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISGAL22LV10C-7LJ
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.