Продукція > ISG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.00 грн
10+236.19 грн
100+147.34 грн
500+127.25 грн
1000+122.78 грн
3000+115.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.45 грн
10+237.05 грн
25+203.89 грн
100+154.78 грн
250+154.04 грн
500+133.94 грн
1000+124.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.46 грн
10+264.43 грн
100+163.71 грн
500+144.36 грн
1000+139.15 грн
3000+131.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesSP005575180
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.65 грн
10+232.78 грн
100+165.67 грн
500+128.61 грн
1000+119.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.21 грн
10+250.91 грн
100+179.36 грн
500+139.69 грн
1000+131.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005575184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.11 грн
10+284.97 грн
100+177.10 грн
500+158.50 грн
1000+153.29 грн
3000+144.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCInfineon TechnologiesISG0616N10NM5HSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+400.69 грн
50+282.15 грн
100+219.54 грн
500+169.76 грн
1500+150.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.06 грн
10+257.04 грн
100+184.55 грн
500+168.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005754001
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.24 грн
10+296.09 грн
100+191.24 грн
500+171.90 грн
1000+168.18 грн
3000+158.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG1411IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG2B422FP-08
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG4100IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG4A442FJ-7A1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISGAL22LV10C-7LJ
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.