Продукція > ISG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
ISG-200-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG-200-WG-LCL-ComCircuit Protection Kits Isolating Spark Gap, 200kA, w/ Gnd Wire
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.91 грн
10+239.51 грн
100+149.41 грн
500+129.04 грн
1000+124.51 грн
3000+116.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.23 грн
10+240.38 грн
25+206.76 грн
100+156.96 грн
250+156.20 грн
500+135.83 грн
1000+126.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesSP005575180
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.77 грн
10+236.05 грн
100+168.00 грн
500+130.42 грн
1000+121.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.91 грн
10+242.98 грн
100+150.92 грн
500+132.06 грн
1000+127.53 грн
3000+120.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.32 грн
10+262.07 грн
100+162.99 грн
500+145.64 грн
1000+141.11 грн
3000+132.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.12 грн
10+241.55 грн
100+172.69 грн
500+155.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005575184
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCInfineon TechnologiesISG0616N10NM5HSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+406.33 грн
50+286.12 грн
100+222.63 грн
500+172.14 грн
1500+153.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.69 грн
10+260.65 грн
100+187.14 грн
500+171.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesSP005754001
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.64 грн
10+281.17 грн
100+175.82 грн
500+171.30 грн
1000+162.24 грн
3000+144.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG1411IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG2B422FP-08
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG4100IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISG4A442FJ-7A1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISGAL22LV10C-7LJ
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.