Продукція > NDC
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NDC 2420 | NICHIFU | Category: LED connectors Description: Connector: wire-wire; LED Light; plug; hermaphrodite; NDC; 3A; 100V Wire cross-section: 0.2...0.5mm2 Electrical mounting: IDC Mechanical mounting: for cable Contact plating: tinned Wire size: 24AWG...20AWG Spatial orientation: straight Conform to the norm: UL; VDE Type of connector: wire-wire Cable external diameter: 2.1mm Number of pins: 1 Current rating: 3A Connectors features: assembling possibility Rated voltage: 100V Kind of connector: hermaphrodite Locking system: latch Connectors application: LED Light Manufacturer series: NDC Connector: plug | на замовлення 3067 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC 2824 | NICHIFU | Category: LED connectors Description: Connector: wire-wire; LED Light; plug; hermaphrodite; NDC; 2A; 100V Wire cross-section: 0.08...0.2mm2 Electrical mounting: IDC Mechanical mounting: for cable Contact plating: tinned Wire size: 28AWG...24AWG Spatial orientation: straight Conform to the norm: UL; VDE Type of connector: wire-wire Cable external diameter: 1.6mm Number of pins: 1 Current rating: 2A Connectors features: assembling possibility Rated voltage: 100V Kind of connector: hermaphrodite Locking system: latch Connectors application: LED Light Manufacturer series: NDC Connector: plug | на замовлення 7511 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC-212-I | AMSECO | Amseco IVORY 12" DOOR CORD 5PK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC10170A | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY D Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Wafer Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC3105LT1 | ON Semiconductor | Description: IC RELAY DRIVER SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC3105LT1G | onsemi | Description: IC PWR DRIVER SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) | на замовлення 740100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC3105LT1G | на замовлення 597000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC3105LT1G | onsemi | Description: IC PWR DRIVER SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC3105LT1G | ON Semiconductor | LDO Voltage Regulators MI SOT23 RLAY DRV TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC312T32W | Eaton Electrical | Circuit Breakers NDC DIGITRIP 310 3P 1200A 80% DUTY ADJ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC312T33W | Eaton Electrical | Circuit Breakers NDC DIGITRIP 310 3P 1200A 80% DUTY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC365-3 | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC625P | на замовлення 5834 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC631 | FAIRCHILD | SOT-163 | на замовлення 7400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC631N | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDC631N - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 13785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC631N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): 8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | на замовлення 11785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC631N | FAIRCHLD | SOT-163 | на замовлення 23600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC631N-NL | на замовлення 64300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC631N_F095 | onsemi / Fairchild | MOSFET 20V 4.1A N-CH ENHANCEMENT MODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC632P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC632P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1470 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC632P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC632P | FAIRCHILD | SOT163 | на замовлення 312540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC632P SOT163-632 | FAIRCHILD | на замовлення 27911 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC632P-NL | на замовлення 64300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC632P/632 | FAIRCHILD | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC632PD87Z | на замовлення 264950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC632PMOT163-632 | FAIRCHLD | на замовлення 3819 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC632PSOT163-6 | на замовлення 27911 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC632PSOT163-632 | FAIRCHLD | на замовлення 2991 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC632P\632 | FAIRCHIL | SOT-163 | на замовлення 5850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC632P_F40 | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC632P_NL | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC651 | FAI | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC651N | Fairchild | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC651N | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC651N Код товару: 162461
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC651N | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC651N | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC651N-NL | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC651N/651 | FAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC651N_F095 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V, 3.2A, NCH LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC651N_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 60 MO, SSOT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC651N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC652 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC652/652 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC652P | FAIRCHILD | SOT163 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC652P | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC652P | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC652P-NL | на замовлення 64300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC665N | SOT23-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC7001C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA, 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V, 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | на замовлення 9437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 19690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | onsemi | MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 51487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7001C | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA, 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V, 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60/-60V Kind of channel: enhancement Drain current: 0.51/-0.34A Gate charge: 1.5/2.2nC On-state resistance: 4/10Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 863 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 31193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7001C | onsemi / Fairchild | MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 46844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7001C транзистор Код товару: 199707
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC7001C-NL | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7001C_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7002 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7002-NL | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7002C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7002N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-6 N-CH ENHANCE | на замовлення 60070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 | на замовлення 2449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V Kind of channel: enhancement Drain current: 0.51A Gate charge: 1nC On-state resistance: 4Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 304 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 59453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 | на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2430 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7002N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7002N | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 59453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7002N-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 102018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7002N/02N | FAIR | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NDC7002NNL | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7002N_NL | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7002N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-6 N-CH ENHANCE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7002N_SB9G007 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7003P | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 31390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7003P | onsemi / Fairchild | MOSFETs Dual P-Ch FET Enhancement Mode | на замовлення 22587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7003P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7003P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7003P | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 31390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7003P | Fairchild | Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin SuperSOT T/R NDC7003P TNDC7003p кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7003P | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Drain current: -0.34A Gate charge: 2.2nC On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2330 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7003P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDC7003P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | на замовлення 4536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NDC7003P-NL | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7003P/03P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDC7003P\03P | FAIRCHIL | SOT-163 | на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]

