Продукція > NVG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVG10B221M-5V6
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVG10B221N-5V6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVG45AA2024Kyocera AVX ComponentsKAVX Crystals - OCXO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG45AD2025KYOCERA AVX OCXO
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+35348.04 грн
10+33723.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSBON SemiconductorVE-Trac Dual, IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSB2onsemiDescription: MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.827", 71.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AHPM15-CEC
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 43000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSCON SemiconductorHalf-Bridge Power Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSConsemiIGBT Modules DUALSIDE COOLING PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSConsemiDescription: IC PWR MOD 750V 800A AHPM15
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: IGBT
Configuration: Half Bridge
Voltage - Isolation: 4200Vrms
Current: 800 A
Voltage: 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSC EVKonsemiPower Management IC Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSC-EVKON SemiconductorVE-Trac Dual EZ Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSC-Z008onsemiDescription: DUAL SIDE COOLING POWER MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: IGBT
Configuration: Half Bridge
Voltage - Isolation: 4200Vrms
Current: 800 A
Voltage: 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVG800A75L4DSC2onsemiDescription: IC PWR MOD 750V 800A AHPM15
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AHPM15-CEA
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 43000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGB1306L-12-FSTANEYLED
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3130NT1GON SemiconductorMOSFET NFET TSOP6 20V 5.6A 24MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.74 грн
10+77.02 грн
100+51.57 грн
500+38.17 грн
1000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3130NT1GONSEMINVGS3130NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3130NT1GonsemiMOSFETs NFET TSOP6 20V 5.6A 24MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.97 грн
6000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3441T1GonsemiMOSFET PFET 20V 2.35A 900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3443T1GON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS3443T1GON SemiconductorMOSFET PFET 20V 2A 0.065R
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4111PT1GONSEMINVGS4111PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4111PT1GonsemiMOSFETs PFET TSOP6 30V 4.7A 60MOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.49 грн
10+45.01 грн
100+26.93 грн
250+26.41 грн
500+21.41 грн
1000+19.57 грн
3000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4111PT1GON Semiconductor
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4141NT1GON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4141NT1GON SemiconductorMOSFET NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+49.66 грн
100+38.68 грн
500+28.84 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4141NT1GONSEMINVGS4141NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4141NT1GonsemiMOSFETs NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.12 грн
10+57.28 грн
100+35.53 грн
500+28.54 грн
1000+26.19 грн
3000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1GON Semiconductor
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1GonsemiMOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
на замовлення 214571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.49 грн
10+54.99 грн
100+33.40 грн
500+28.62 грн
1000+25.90 грн
3000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.84 грн
10+64.30 грн
100+42.57 грн
500+31.22 грн
1000+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVGS5120PT1GONSEMINVGS5120PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.