Продукція > NVG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVG10B221M-5V6 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVG10B221N-5V6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVG45AD2025 | KYOCERA AVX | OCXO Oscillators OCXO | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVG800A75L4DSB2 | onsemi | Description: MODULE Packaging: Bulk Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.827", 71.80mm) Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AHPM15-CEC Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 43000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVG800A75L4DSC | onsemi | IGBT Modules DUALSIDE COOLING PWR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVG800A75L4DSC | onsemi | Description: IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: IGBT Configuration: Half Bridge Voltage - Isolation: 4200Vrms Current: 800 A Voltage: 750 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVG800A75L4DSC EVK | onsemi | Power Management IC Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVG800A75L4DSC-Z008 | onsemi | Description: DUAL SIDE COOLING POWER MODULE Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: IGBT Configuration: Half Bridge Voltage - Isolation: 4200Vrms Current: 800 A Voltage: 750 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVG800A75L4DSC2 | onsemi | Description: IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 Packaging: Tube Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm) Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AHPM15-CEA Current - Collector (Ic) (Max): 550 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 43000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGB1306L-12-F | STANEY | LED | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3130NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET TSOP6 20V 5.6A 24MOH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3130NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS3130NT1G | onsemi | MOSFETs NFET TSOP6 20V 5.6A 24MOH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3130NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS3441T1G | onsemi | MOSFET PFET 20V 2.35A 900 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3441T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1984 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3441T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3443T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3443T1G | ON Semiconductor | MOSFET PFET 20V 2A 0.065R | на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS3443T1G | ON Semiconductor | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVGS4111PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS4111PT1G | onsemi | MOSFETs PFET TSOP6 30V 4.7A 60MOH | на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS4111PT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVGS4111PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS4141NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVGS4141NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS4141NT1G | onsemi | MOSFETs NFET TSOP6 30V 7A 0.030R | на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS4141NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS4141NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET TSOP6 30V 7A 0.030R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVGS5120PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS5120PT1G | onsemi | MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO | на замовлення 184829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS5120PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 51614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVGS5120PT1G | ON Semiconductor | на замовлення 10286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVGS5120PT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -20A Drain current: -2.9A Gate charge: 18.1nC On-state resistance: 111mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 2895 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|