Продукція > RHU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RHU002N06ROHM10+ROHS UMT3
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06ROHMSOT23/
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06ROHM07+ SOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06ROHMSOT23
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
RHU002N06ROHMSOT323
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N0660
на замовлення 18897 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06FD5T106
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06FRAT106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
6000+ 5.55 грн
9000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RHU002N06FRAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: UMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RHU002N06FRAT106ROHM SemiconductorMOSFET 4V DRIVE NCH MOSFET
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
16+ 20.29 грн
100+ 7.92 грн
1000+ 6.13 грн
3000+ 5.33 грн
9000+ 4.73 грн
24000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
RHU002N06FRAT106ROHMDescription: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.26 грн
500+ 6.38 грн
1500+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
RHU002N06FRAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: UMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
RHU002N06FRAT106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 13592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
16+ 18.24 грн
100+ 9.19 грн
500+ 7.65 грн
1000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
RHU002N06FRAT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A Automotive 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1878+6.22 грн
1883+ 6.2 грн
2236+ 5.22 грн
2363+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 1878
RHU002N06FRAT106ROHMDescription: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.34 грн
50+ 15.84 грн
100+ 9.26 грн
500+ 6.38 грн
1500+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
RHU002N06T106
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
6000+ 4.43 грн
9000+ 3.83 грн
30000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RHU002N06T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 43946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
16+ 17.97 грн
100+ 9.09 грн
500+ 6.96 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
RHU002N06T106ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
16+ 19.99 грн
100+ 7.19 грн
1000+ 5.33 грн
3000+ 4.13 грн
9000+ 3.66 грн
24000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
RHU003N03ROHMSOT-323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU003N03ROHM10+ROHS UMT3
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU003N03FRAT106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
товар відсутній
RHU003N03FRAT106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
товар відсутній
RHU003N03FRAT106ROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.86 грн
17+ 18.15 грн
100+ 8.92 грн
500+ 5.93 грн
1000+ 4.59 грн
3000+ 3.93 грн
6000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
RHU003N03FRAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: UMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RHU003N03FRAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: UMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
RHU003N03T106ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
товар відсутній
RHU003N03T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
товар відсутній
RHU003N03T106
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU003N03T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
товар відсутній
RHU2-40.500.37Elesa USA CorporationDescription: RH-U2, TUBULAR HANDLES, TUBULAR
Packaging: Bag
Mounting Type: Screw, Bolt
Material: Aluminum, Stainless Steel
Type: Instrumentation
Length - Center to Center: 19.685" (500.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
RHU2-40.700.37Elesa USA CorporationDescription: RH-U2, TUBULAR HANDLES, TUBULAR
Packaging: Bag
Mounting Type: Screw, Bolt
Material: Aluminum, Stainless Steel
Type: Instrumentation
Length - Center to Center: 27.559" (700.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
RHU4-35.300.04Elesa USA CorporationDescription: RH-U4, TUBULAR EDGE-HANDLES, TUB
Packaging: Bag
Mounting Type: Screw Holes, Back
Material: Aluminum
Type: Instrumentation
Thread/Screw/Hole Size: M5x10
Height: 2.126" (54.00mm)
Length - Center to Center: 11.811" (300.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
RHU4-35.500.04Elesa USA CorporationDescription: RH-U4, TUBULAR EDGE-HANDLES, TUB
Packaging: Bag
Mounting Type: Screw Holes, Back
Material: Aluminum
Type: Instrumentation
Thread/Screw/Hole Size: M5x10
Height: 2.126" (54.00mm)
Length - Center to Center: 19.685" (500.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
RHU4-35.700.04Elesa USA CorporationDescription: RH-U4, TUBULAR EDGE-HANDLES, TUB
Packaging: Bag
Mounting Type: Screw Holes, Back
Material: Aluminum
Type: Instrumentation
Thread/Screw/Hole Size: M5x10
Height: 2.126" (54.00mm)
Length - Center to Center: 27.559" (700.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
RHUBARB-AD1ATHREEMLIndustrial Interface Board Designed To Be Compatible With The Raspberry Pi 2 Model B And The Raspberry Pi 3 Model B
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21928.37 грн
RHUP050B101K-A-BGH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B101K-B-B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B101KABGH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B101KBB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B221K-A-BGH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B221KABGH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B331K-
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B331K-B-B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050B471KABGH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHUP050BX102KABGH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)