Продукція > RUF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RUF015N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 16402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.16 грн
11+28.35 грн
100+19.31 грн
500+15.00 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.31Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
на замовлення 13635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.74 грн
11+31.81 грн
100+19.20 грн
500+15.08 грн
1000+12.21 грн
3000+10.15 грн
9000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
6000+9.95 грн
9000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.31Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHMDescription: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.44 грн
24+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.93 грн
15+24.11 грн
100+15.60 грн
500+12.65 грн
1000+10.30 грн
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 86313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
13+24.06 грн
100+17.96 грн
500+13.25 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLROHM SEMICONDUCTORRUF020N02TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
6000+9.30 грн
15000+8.66 грн
30000+7.71 грн
75000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
11+28.81 грн
100+18.71 грн
500+13.63 грн
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.04 грн
13+28.17 грн
100+18.32 грн
500+14.42 грн
1000+11.11 грн
3000+10.15 грн
6000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SEMICONDUCTORRUF025N02FRATL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A
на замовлення 20102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.72 грн
11+32.74 грн
100+21.19 грн
500+18.10 грн
1000+16.26 грн
3000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.32 грн
6000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 14059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.97 грн
10+30.96 грн
100+23.11 грн
500+19.44 грн
1000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLROHM SEMICONDUCTORRUF025N02TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF36
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUFE185Tyco
на замовлення 1680000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.