Продукція > RUF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RUF015N02 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RUF015N02TL | ROHM | Description: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF015N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A | на замовлення 10999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF015N02TL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V | на замовлення 13754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RUF020N02 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RUF020N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TUMT3 | на замовлення 86313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RUF020N02TL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RUF020N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TUMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RUF020N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A | на замовлення 6841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF025N02 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RUF025N02FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3 Case: TUMT3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 5A Drain current: 2.5A Gate charge: 5nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF025N02FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg | на замовлення 6027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF025N02FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF025N02FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RUF025N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V | на замовлення 12930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RUF025N02TL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RUF025N02TL | ROHM | Description: ROHM - RUF025N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.039 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm | на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF025N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A | на замовлення 17468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUF025N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RUF36 | на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Rufa Left Reference Board | Antenova | RF Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RUFE185 | Tyco | на замовлення 1680000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |