Продукція > RUF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RUF015N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RUF015N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 3A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RUF015N02TLROHMDescription: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 800
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.56 грн
25+ 30.78 грн
100+ 23.01 грн
500+ 16.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
RUF015N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RUF015N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 3A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
RUF015N02TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
11+ 28.8 грн
100+ 17.38 грн
500+ 13.65 грн
1000+ 11.05 грн
3000+ 9.19 грн
9000+ 8.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
RUF020N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUF020N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.35 грн
6000+ 8.42 грн
15000+ 7.84 грн
30000+ 6.98 грн
75000+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RUF020N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUF020N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RUF020N02TLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A
на замовлення 8057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.91 грн
12+ 25.58 грн
100+ 16.58 грн
500+ 13.05 грн
1000+ 10.06 грн
3000+ 9.12 грн
6000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 86313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
13+ 21.78 грн
100+ 16.26 грн
500+ 11.99 грн
1000+ 9.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
RUF025N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUF025N02FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RUF025N02FRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.91 грн
13+ 25.5 грн
100+ 16.58 грн
500+ 13.05 грн
1000+ 10.06 грн
3000+ 9.19 грн
6000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RUF025N02FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
13+ 21.78 грн
100+ 15.14 грн
500+ 11.09 грн
1000+ 9.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 19828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.62 грн
10+ 33.02 грн
100+ 22.85 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 15.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
RUF025N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RUF025N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RUF025N02TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A
на замовлення 20271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.35 грн
10+ 37.14 грн
100+ 22.44 грн
500+ 18.71 грн
1000+ 15.38 грн
3000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.03 грн
6000+ 13.71 грн
9000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RUF025N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUF36
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUFE185Tyco
на замовлення 1680000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)