Продукція > RUF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RUF015N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHMDescription: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.90 грн
24+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
на замовлення 10999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.76 грн
12+32.69 грн
100+19.41 грн
250+19.33 грн
500+16.37 грн
1000+13.02 грн
3000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.86 грн
6000+11.34 грн
9000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 13754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.29 грн
11+32.77 грн
100+21.09 грн
500+15.07 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 86313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.96 грн
13+26.12 грн
100+19.50 грн
500+14.38 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
6000+10.10 грн
15000+9.40 грн
30000+8.37 грн
75000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.66 грн
15+26.17 грн
100+16.93 грн
500+13.74 грн
1000+11.18 грн
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.24 грн
12+31.50 грн
100+17.89 грн
500+13.66 грн
1000+12.22 грн
3000+10.46 грн
6000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.38 грн
12+28.87 грн
100+18.50 грн
500+13.16 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.56 грн
10+43.76 грн
100+28.53 грн
500+20.63 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: TUMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A
на замовлення 18904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.56 грн
11+36.28 грн
100+23.56 грн
500+20.04 грн
1000+19.41 грн
3000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.85 грн
6000+15.84 грн
9000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF36
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Rufa Left Reference BoardAntenovaRF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUFE185Tyco
на замовлення 1680000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.