Продукція > RUF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RUF015N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 16402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
11+29.92 грн
100+20.38 грн
500+15.82 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHMDescription: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.67 грн
24+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
на замовлення 10999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.57 грн
12+31.78 грн
100+18.86 грн
250+18.79 грн
500+15.91 грн
1000+12.65 грн
3000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
6000+10.50 грн
9000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.90 грн
6000+9.82 грн
15000+9.14 грн
30000+8.13 грн
75000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.69 грн
15+25.44 грн
100+16.46 грн
500+13.35 грн
1000+10.87 грн
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 86313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.07 грн
13+25.39 грн
100+18.96 грн
500+13.98 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Case: TUMT3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.55 грн
11+30.41 грн
100+19.74 грн
500+14.38 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.81 грн
12+30.62 грн
100+17.39 грн
500+13.28 грн
1000+11.88 грн
3000+10.17 грн
6000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 14059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.35 грн
10+32.67 грн
100+24.38 грн
500+20.51 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A
на замовлення 18904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.18 грн
11+35.26 грн
100+22.90 грн
500+19.49 грн
1000+18.86 грн
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.17 грн
6000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RUF36
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Rufa Left Reference BoardAntenovaRF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUFE185Tyco
на замовлення 1680000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.