Продукція > RUF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RUF015N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHMDescription: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.46 грн
24+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A
на замовлення 10999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.97 грн
12+28.26 грн
100+16.78 грн
250+16.71 грн
500+14.15 грн
1000+11.25 грн
3000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.56 грн
6000+10.20 грн
9000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF015N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 13754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.47 грн
100+18.96 грн
500+13.55 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
на замовлення 86313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
13+23.48 грн
100+17.53 грн
500+12.93 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.08 грн
6000+9.08 грн
15000+8.45 грн
30000+7.52 грн
75000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF020N02TLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.96 грн
15+22.63 грн
100+14.64 грн
500+11.87 грн
1000+9.66 грн
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3
Case: TUMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 5A
Drain current: 2.5A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.30 грн
12+27.23 грн
100+15.46 грн
500+11.80 грн
1000+10.56 грн
3000+9.04 грн
6000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+25.95 грн
100+16.63 грн
500+11.83 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.34 грн
100+25.65 грн
500+18.55 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLROHMDescription: ROHM - RUF025N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.039 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.47 грн
21+39.71 грн
100+28.19 грн
500+18.55 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A
на замовлення 17902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+38.90 грн
100+24.02 грн
500+18.50 грн
1000+16.78 грн
3000+12.43 грн
6000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF025N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.05 грн
6000+14.24 грн
9000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUF36
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Rufa Left Reference BoardAntenovaRF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUFE185Tyco
на замовлення 1680000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.