Продукція > RXH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RXH070N03TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.19 грн
10+61.41 грн
100+40.77 грн
500+29.93 грн
1000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RXH070N03TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 7A Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RXH070N03TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RXH090N03TB1Rohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RXH090N03TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 36A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RXH090N03TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 N-CH 30V 9A
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.59 грн
10+83.39 грн
100+48.46 грн
500+38.35 грн
1000+35.56 грн
2500+32.42 грн
5000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RXH090N03TB1Rohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.92 грн
10+82.48 грн
100+55.56 грн
500+41.30 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RXH100N03TB1Rohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.76 грн
10+87.54 грн
100+59.17 грн
500+44.09 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RXH100N03TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 N-CH 30V 10A
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.91 грн
10+88.20 грн
100+51.60 грн
500+41.00 грн
1000+37.58 грн
2500+34.37 грн
5000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RXH100N03TB1Rohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RXH125N03TB1ROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RS3E135BNGZETB
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.61 грн
10+79.22 грн
100+53.41 грн
500+45.32 грн
1000+36.88 грн
2500+34.37 грн
5000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RXH125N03TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.