Продукція > RZR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RZR020P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V DRVE PCH MOSFET
на замовлення 89379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.82 грн
13+28.55 грн
100+19.02 грн
500+15.32 грн
1000+13.66 грн
3000+11.17 грн
9000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.04 грн
10+36.87 грн
100+23.81 грн
500+17.06 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLROHMDescription: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.33 грн
24+36.65 грн
100+27.43 грн
500+20.04 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.54 грн
6000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.24 грн
10+43.22 грн
100+24.52 грн
500+19.09 грн
1000+16.98 грн
3000+13.51 грн
9000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.26 грн
10+35.53 грн
100+24.69 грн
500+18.09 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01FU7TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+45.51 грн
100+31.50 грн
500+24.70 грн
1000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLROHMDescription: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.04 грн
25+35.05 грн
100+29.04 грн
500+24.21 грн
1000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.