Продукція > RZR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RZR020P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V DRVE PCH MOSFET
на замовлення 94108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.77 грн
11+32.49 грн
100+19.50 грн
500+14.93 грн
1000+13.32 грн
3000+10.89 грн
9000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.48 грн
10+35.94 грн
100+23.21 грн
500+16.63 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
6000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.41 грн
10+40.69 грн
100+26.48 грн
500+20.82 грн
1000+16.11 грн
3000+14.64 грн
6000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
10+34.64 грн
100+24.07 грн
500+17.64 грн
1000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLROHMDescription: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.26 грн
24+35.73 грн
100+26.74 грн
500+19.54 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01FU7TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLROHMDescription: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.58 грн
17+50.09 грн
100+34.08 грн
500+26.52 грн
1000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.52 грн
10+44.37 грн
100+30.71 грн
500+24.09 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.