Продукція > RZR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RZR020P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V DRVE PCH MOSFET
на замовлення 89379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.26 грн
13+26.12 грн
100+17.40 грн
500+14.01 грн
1000+12.50 грн
3000+10.22 грн
9000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.08 грн
100+22.65 грн
500+16.23 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.68 грн
10+39.54 грн
100+22.44 грн
500+17.47 грн
1000+15.53 грн
3000+12.36 грн
9000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+33.80 грн
100+23.49 грн
500+17.21 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLROHMDescription: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.27 грн
24+34.87 грн
100+26.09 грн
500+19.07 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
6000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR025P01TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01FU7TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLROHMDescription: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.98 грн
24+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.84 грн
100+30.08 грн
500+21.87 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.