Продукція > XP8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP8081
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP824OLZU200E
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP8260ZU200HAV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP82C684CJXPPLCC
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJBYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.79 грн
10+38.58 грн
80+30.31 грн
560+25.61 грн
2560+23.33 грн
5040+21.68 грн
10000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJBYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251S
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
80+39.48 грн
160+35.25 грн
560+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP83T03GJBYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.11 грн
21+39.38 грн
100+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP850CZT50B
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP850DEZT80BU
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP860ENCZP50CMOTBGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP860SRZP50C1MOTOROLA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP8M000000S412TGSDescription: CRYSTAL 8MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8M192000S410TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 10pF 2 P
Frequency: 8.192 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 10pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8M192000S412TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 12pF 2 P
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 12pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency: 8.192 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Part Status: Active
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8M192000S416TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 16pF 2 P
Frequency: 8.192 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 16pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8M192000S418TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 18pF 2 P
Frequency: 8.192 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 18pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8M192000S420TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 20pF 2 P
Frequency: 8.192 MHz
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Operating Mode: Fundamental
Frequency Tolerance: ±30ppm
Frequency Stability: ±30ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: MHz Crystal
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Load Capacitance: 20pF
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.81 грн
10+278.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.44 грн
10+251.28 грн
100+182.86 грн
500+169.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TLYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.32 грн
10+227.05 грн
100+140.83 грн
500+133.93 грн
1000+124.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
10+117.59 грн
100+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.19 грн
10+112.73 грн
100+67.10 грн
500+53.78 грн
1000+51.98 грн
3000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
10+180.09 грн
100+129.47 грн
500+102.85 грн
1000+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.