Продукція > XP9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XP9410AGMYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.57 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GGYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 20V 4A S OT-89
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.89 грн
13+27.08 грн
100+16.00 грн
500+12.53 грн
1000+11.17 грн
2000+8.90 грн
10000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.18 грн
13+25.15 грн
100+17.04 грн
500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.66 грн
27+31.57 грн
100+20.57 грн
500+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP9517
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9518BB/TI
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9518TI09+
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP952AB
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GHYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -40V -45 A TO-252
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.96 грн
10+67.17 грн
100+40.37 грн
500+32.00 грн
1000+31.39 грн
3000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9561GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 0.016 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 45A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
10+94.64 грн
100+73.63 грн
500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GIYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9561GI - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.016 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9561 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.50 грн
16+56.21 грн
100+50.71 грн
500+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GIYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.67 грн
50+52.07 грн
100+47.01 грн
500+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GIYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -40V -36 A TO-220CFM
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.36 грн
10+57.36 грн
100+45.05 грн
500+36.30 грн
1000+31.01 грн
2500+30.79 грн
5000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9561GMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.20 грн
10+55.42 грн
100+43.08 грн
500+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -17 A TO-252
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.48 грн
10+60.66 грн
100+41.05 грн
500+34.79 грн
1000+28.37 грн
3000+26.64 грн
6000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.50 грн
12+72.63 грн
100+48.34 грн
500+36.08 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565BGHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9565BGH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17 A, 0.052 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.34 грн
500+36.08 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.44 грн
19+46.22 грн
100+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEMYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.12 грн
10+83.13 грн
100+55.84 грн
500+47.39 грн
1000+40.45 грн
3000+34.33 грн
9000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9565GEM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP9565 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9565GEMXSemiMOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
4+107.41 грн
10+95.46 грн
100+64.29 грн
500+53.12 грн
1000+41.96 грн
3000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP9567GHYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.89 грн
12+76.95 грн
100+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.65 грн
10+75.22 грн
100+51.22 грн
500+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -60V -15 A TO-252
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.00 грн
10+236.91 грн
25+194.69 грн
100+166.77 грн
250+156.96 грн
500+147.90 грн
1000+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP9926GMYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP9M830400S410TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 10pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP9M830400S412TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 12pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP9M830400S416TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 16pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP9M830400S418TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 18pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP9M830400S420TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 20pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP9RCOASTDescription: COAST - XP9R - Taschenlampe, Handtaschenlampe, LED, 1000lm, 225m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zellen x 2
tariffCode: 85131000
Strahlreichweite: 225m
productTraceability: No
Taschenlampe: Handtaschenlampe
rohsCompliant: NA
Stromquelle: Akku, CR123-Lithiumbatterien x 2 (nicht im Lieferumfang enthalten)
Material des Taschenlampengehäuses: -
euEccn: NLR
Lumenpaket: 1000lm
hazardous: true
hazardCode: 3481
rohsPhthalatesCompliant: NA
Lichtqelle: LED
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7258.84 грн
6+6367.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.