Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (30513) > Сторінка 145 з 509

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 50 100 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 200 250 300 350 400 450 500 509  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PQMH11Z PQMH11Z Nexperia USA Inc. PQMH11.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH13Z PQMH13Z Nexperia USA Inc. PQMH13.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH9Z PQMH9Z Nexperia USA Inc. PQMH9.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.16 грн
3000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN013-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.18 грн
3000+20.18 грн
4500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN014-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN015-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN019-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN021-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN025-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLX PSMN5R2-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R2-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.05 грн
3000+32.96 грн
4500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VZ1USKNYL PTVS12VZ1USKNYL Nexperia USA Inc. PTVS12VZ1USKN.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 32VC DSN1608-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 430pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: DSN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS5V0Z1USKNYL PTVS5V0Z1USKNYL Nexperia USA Inc. PTVS5V0Z1USKN.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DSN1608-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1200pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DSN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R0-60PSRQ Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60PSR.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.25 грн
10+180.55 грн
100+126.21 грн
500+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSR41F BSR41F Nexperia USA Inc. BSR41.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5250XZ PBSS5250XZ Nexperia USA Inc. PBSS5250X.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 550 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G126DP-Q100H 74LVC2G126DP-Q100H Nexperia USA Inc. 74LVC2G126_Q100.pdf Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4480XZ PBSS4480XZ Nexperia USA Inc. PBSS4480X.pdf Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 550 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4067D-Q100J 74HC4067D-Q100J Nexperia USA Inc. 74HC_HCT4067_Q100.pdf Description: IC MUX 16:1 120OHM 24SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 120Ohm
-3db Bandwidth: 100MHz
Supplier Device Package: 24-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10TX BCP53-10TX Nexperia USA Inc. BCP53T_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.53 грн
19+17.30 грн
100+10.85 грн
500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16TX BCP53-16TX Nexperia USA Inc. BCP53T_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.63 грн
16+20.06 грн
50+14.45 грн
100+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56-10TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.61 грн
22+14.69 грн
100+9.24 грн
500+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TX BCP56-16TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.45 грн
16+20.38 грн
50+14.71 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSX PBSS4160PANSX Nexperia USA Inc. PBSS4160PANS.pdf Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.31 грн
10+31.67 грн
100+20.44 грн
500+14.63 грн
1000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4260PANPSX PBSS4260PANPSX Nexperia USA Inc. PBSS4260PANPS.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4260PANSX PBSS4260PANSX Nexperia USA Inc. PBSS4260PANS.pdf Description: TRANS 2NPN 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.87 грн
10+36.25 грн
100+23.45 грн
500+16.86 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4360PASX PBSS4360PASX Nexperia USA Inc. PBSS4360PAS.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.67 грн
11+30.80 грн
100+19.80 грн
500+14.15 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220PAPSX PBSS5220PAPSX Nexperia USA Inc. PBSS5220PAPS.pdf Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260PAPSX PBSS5260PAPSX Nexperia USA Inc. PBSS5260PAPS.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEAR PMV120ENEAR Nexperia USA Inc. PMV120ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.09 грн
15+21.09 грн
100+13.39 грн
500+9.43 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEAR PMV30XPEAR Nexperia USA Inc. PMV30XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.48 грн
35+9.24 грн
100+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEAR PMV450ENEAR Nexperia USA Inc. PMV450ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.51 грн
30+10.82 грн
100+5.05 грн
500+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEAR PMV65ENEAR Nexperia USA Inc. PMV65ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.17 грн
14+23.30 грн
100+13.50 грн
500+12.05 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10TX BCP53-10TX Nexperia USA Inc. BCP53T_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16TX BCP53-16TX Nexperia USA Inc. BCP53T_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56-10TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TX BCP56-16TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.82 грн
2000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56QAZ BAW56QAZ Nexperia USA Inc. BAW56QA.pdf Description: DIODE ARR GP 90V 180MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.66 грн
45+7.11 грн
100+6.45 грн
500+4.44 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AQAZ BC847AQAZ Nexperia USA Inc. BC847XQA_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.22 грн
31+10.43 грн
100+6.48 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
2000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9515QAZ PBHV9515QAZ Nexperia USA Inc. PBHV9515QA.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.29 грн
12+26.38 грн
100+16.81 грн
500+11.89 грн
1000+10.64 грн
2000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QAZ Nexperia USA Inc. BAS116QA.pdf Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170QAZ BAV170QAZ Nexperia USA Inc. BAV170QA.pdf Description: DIODE ARR GP 75V 180MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99QAZ BAV99QAZ Nexperia USA Inc. BAV99QA.pdf Description: DIODE ARR GP 90V 170MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 170mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.67 грн
10000+3.19 грн
15000+3.01 грн
25000+2.64 грн
35000+2.52 грн
50000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QAZ Nexperia USA Inc. BAS116QA.pdf Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.48 грн
44+7.35 грн
100+6.55 грн
500+4.51 грн
1000+3.72 грн
2000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170QAZ BAV170QAZ Nexperia USA Inc. BAV170QA.pdf Description: DIODE ARR GP 75V 180MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.22 грн
32+10.19 грн
100+6.75 грн
500+4.66 грн
1000+3.97 грн
2000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M10-40EX BUK7M10-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M10-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.13 грн
10+40.12 грн
100+30.04 грн
500+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.30 грн
100+25.15 грн
500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M27-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.18 грн
10+49.29 грн
100+32.89 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M45-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.17 грн
15+21.33 грн
100+16.69 грн
500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M8R0-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.71 грн
10+61.61 грн
100+40.87 грн
500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M10-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.87 грн
10+40.68 грн
100+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40EX BUK9M11-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M11-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1721 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.03 грн
10+34.83 грн
100+27.53 грн
500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M12-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+53.31 грн
100+36.32 грн
500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M120-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.26 грн
10+40.44 грн
100+26.32 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M14-40EX BUK9M14-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M14-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.03 грн
10+35.70 грн
100+26.71 грн
500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M156-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.87 грн
10+36.10 грн
100+23.40 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH11Z PQMH11.pdf
PQMH11Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH13Z PQMH13.pdf
PQMH13Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMH9Z PQMH9.pdf
PQMH9Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.16 грн
3000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+21.18 грн
3000+20.18 грн
4500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN014-80YLX PSMN014-80YL.pdf
PSMN014-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-100YLX PSMN015-100YL.pdf
PSMN015-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN019-100YLX PSMN019-100YL.pdf
PSMN019-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN021-100YLX PSMN021-100YL.pdf
PSMN021-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN025-80YLX PSMN025-80YL.pdf
PSMN025-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLX PSMN5R2-60YL.pdf
PSMN5R2-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.05 грн
3000+32.96 грн
4500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VZ1USKNYL PTVS12VZ1USKN.pdf
PTVS12VZ1USKNYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 12VWM 32VC DSN1608-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 430pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: DSN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS5V0Z1USKNYL PTVS5V0Z1USKN.pdf
PTVS5V0Z1USKNYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC DSN1608-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1200pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DSN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R0-60PSR.pdf
PSMN2R0-60PSRQ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLD.pdf
PSMN0R7-25YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.25 грн
10+180.55 грн
100+126.21 грн
500+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSR41F BSR41.pdf
BSR41F
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5250XZ PBSS5250X.pdf
PBSS5250XZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 550 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G126DP-Q100H 74LVC2G126_Q100.pdf
74LVC2G126DP-Q100H
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4480XZ PBSS4480X.pdf
PBSS4480XZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 550 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4067D-Q100J 74HC_HCT4067_Q100.pdf
74HC4067D-Q100J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC MUX 16:1 120OHM 24SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 120Ohm
-3db Bandwidth: 100MHz
Supplier Device Package: 24-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 45ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10TX BCP53T_SER.pdf
BCP53-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.53 грн
19+17.30 грн
100+10.85 грн
500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16TX BCP53T_SER.pdf
BCP53-16TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.63 грн
16+20.06 грн
50+14.45 грн
100+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.61 грн
22+14.69 грн
100+9.24 грн
500+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-16TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.45 грн
16+20.38 грн
50+14.71 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4160PANSX PBSS4160PANS.pdf
PBSS4160PANSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.31 грн
10+31.67 грн
100+20.44 грн
500+14.63 грн
1000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4260PANPSX PBSS4260PANPS.pdf
PBSS4260PANPSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4260PANSX PBSS4260PANS.pdf
PBSS4260PANSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.87 грн
10+36.25 грн
100+23.45 грн
500+16.86 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4360PASX PBSS4360PAS.pdf
PBSS4360PASX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 3A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.67 грн
11+30.80 грн
100+19.80 грн
500+14.15 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5220PAPSX PBSS5220PAPS.pdf
PBSS5220PAPSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260PAPSX PBSS5260PAPS.pdf
PBSS5260PAPSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 60V 2A DFN2020D-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 370mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEAR PMV120ENEA.pdf
PMV120ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.09 грн
15+21.09 грн
100+13.39 грн
500+9.43 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEAR PMV30XPEA.pdf
PMV30XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.48 грн
35+9.24 грн
100+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEAR PMV450ENEA.pdf
PMV450ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.51 грн
30+10.82 грн
100+5.05 грн
500+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEAR PMV65ENEA.pdf
PMV65ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.17 грн
14+23.30 грн
100+13.50 грн
500+12.05 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10TX BCP53T_SER.pdf
BCP53-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16TX BCP53T_SER.pdf
BCP53-16TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-10TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-16TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+8.82 грн
2000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56QAZ BAW56QA.pdf
BAW56QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR GP 90V 180MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.66 грн
45+7.11 грн
100+6.45 грн
500+4.44 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BC847AQAZ BC847XQA_SER.pdf
BC847AQAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.22 грн
31+10.43 грн
100+6.48 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
2000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9515QAZ PBHV9515QA.pdf
PBHV9515QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.29 грн
12+26.38 грн
100+16.81 грн
500+11.89 грн
1000+10.64 грн
2000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QA.pdf
BAS116QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170QAZ BAV170QA.pdf
BAV170QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR GP 75V 180MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99QAZ BAV99QA.pdf
BAV99QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR GP 90V 170MA DFN1010D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 170mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.67 грн
10000+3.19 грн
15000+3.01 грн
25000+2.64 грн
35000+2.52 грн
50000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116QAZ BAS116QA.pdf
BAS116QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STD 75V 300MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.48 грн
44+7.35 грн
100+6.55 грн
500+4.51 грн
1000+3.72 грн
2000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170QAZ BAV170QA.pdf
BAV170QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR GP 75V 180MA DFN1010D3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.22 грн
32+10.19 грн
100+6.75 грн
500+4.66 грн
1000+3.97 грн
2000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M10-40EX BUK7M10-40E.pdf
BUK7M10-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.13 грн
10+40.12 грн
100+30.04 грн
500+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M12-40EX BUK7M12-40E.pdf
BUK7M12-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.30 грн
100+25.15 грн
500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M27-80EX BUK7M27-80E.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.18 грн
10+49.29 грн
100+32.89 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M45-40EX BUK7M45-40E.pdf
BUK7M45-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.17 грн
15+21.33 грн
100+16.69 грн
500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40E.pdf
BUK7M8R0-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.71 грн
10+61.61 грн
100+40.87 грн
500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M10-30EX BUK9M10-30E.pdf
BUK9M10-30EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.87 грн
10+40.68 грн
100+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M11-40EX BUK9M11-40E.pdf
BUK9M11-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1721 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.03 грн
10+34.83 грн
100+27.53 грн
500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M12-60EX BUK9M12-60E.pdf
BUK9M12-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.00 грн
10+53.31 грн
100+36.32 грн
500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
BUK9M120-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.26 грн
10+40.44 грн
100+26.32 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M14-40EX BUK9M14-40E.pdf
BUK9M14-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.03 грн
10+35.70 грн
100+26.71 грн
500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EX BUK9M156-100E.pdf
BUK9M156-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.87 грн
10+36.10 грн
100+23.40 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 50 100 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 200 250 300 350 400 450 500 509  [ Наступна Сторінка >> ]